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本发明涉及一种推挽结构的CMOS器件，包括：P型衬底和设置在P型衬底上的设置在衬底上的第一源极和第一漏极；N型衬底和设置在N型衬底上的设置在衬底上的第二源极和第二漏极；以及，栅极，包含设置在P型衬底的第一栅极和N型衬底上的第二栅极；所述第一...
该专利属于杭州致善微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州致善微电子科技有限公司授权不得商用。

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