一种晶圆级铁磁金属有机薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆级铁磁金属有机薄膜及其制备方法，属于碳金属有机薄膜制备领域，所述方法包括如下步骤：利用低压化学气相沉积（LPCVD）方法，以金属酞菁作为分子前驱体，铜箔作为生长基底，在氢氩混合气氛围中进行加热反应，生长完成后快速降温；制备得到的单层金属有机薄膜展现出较强的面内铁磁性，且具备一定的机械性能，可以不采用高分子保护膜进行直接转移，通过湿法转移刻蚀铜箔，将生长的铁磁金属有机薄膜转移至任意需要的基底。本发明专利技术首次提出了自下而上的一步法合成晶圆尺寸空气稳定的铁磁金属有机薄膜的方法，该铁磁金属有机薄膜的可控制备与转移工艺在电磁输运应用等方向具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于碳金属有机薄膜制备领域，具体涉及一种晶圆级铁磁金属有机薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、在二维系统中实现长程有序的铁磁耦合现象不仅促进了对基础物理学的理解，还有效地推进各种量子技术（如磁电子学器件等）应用的发展。目前，二维铁磁体系主要分为两大类：一是二维本征磁性材料，如fe3gete2，crx3（x=i, br, cl）等；二是非本征磁性材料，如稀磁半导体（dmss）等。二维本征磁性材料通常需要通过机械剥离的方式获得单层或少层样品，通过这种方法获得的样品尺寸非常有限。此外二维本征磁性材料的磁转变温度（居里温度）通常较低，且剥离到单层或少层后大多空气敏感，这些问题极大的限制了后续处理及器件制备。相比于本征磁性材料，通过磁性金属掺杂制备非本征磁性材料是目前被广泛研究的有望实现大面积铁磁薄膜的方法。然而，如何有效的将磁性原子掺杂到非磁性的材料中本身就存在挑战，如何克服空气不稳定这一问题更是需要进一步研究。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种晶圆级铁磁金属有机薄膜及其制备方法，在铜片上可控生长大面积单本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆级铁磁金属有机薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的晶圆级铁磁金属有机薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)通入氢氩混合气前，对反应炉抽真空并使用氩气进行循环洗气。

3.根据权利要求1或2所述的晶圆级铁磁金属有机薄膜的制备方法，其特征在于，通入氢氩混合气为500 sccm氩气和50 sccm氢气。

4.根据权利要求1或2所述的晶圆级铁磁金属有机薄膜的制备方法，其特征在于，控制压力为4 torr。

5.根据权利要求1所述的晶圆级铁磁金属有机薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中升温速率为20℃/分钟...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆级铁磁金属有机薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的晶圆级铁磁金属有机薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)通入氢氩混合气前，对反应炉抽真空并使用氩气进行循环洗气。

3.根据权利要求1或2所述的晶圆级铁磁金属有机薄膜的制备方法，其特征在于，通入氢氩混合气为500 sccm氩气和50 sccm氢气。

4.根据权利要求1或2所述的晶圆级铁磁金属有机薄膜的制备方法，其特征在于，控制压力为4 torr。

5.根据权利要求1所述的晶圆级铁磁金属有机薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中升温速率为20℃/分钟，升温至900℃，退火处理30分...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕品，刘衍朋，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：