采用电致发光化合物的电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种电致发光器件。更具体地说，本发明专利技术所述的电致发光器件包括第一电极；第二电极；和至少一个插入所述第一电极和所述第二电极之间的有机层；而所述有机层包含一种或多种由化学式（１）代表的有机电致发光化合物作为主体材料：化学式（１）Ｌ↑［１］Ｌ↑［２］Ｍ（Ｑ）↓［ｙ］其中，配体Ｌ↑［１］和Ｌ↑［２］独立地选自以右下结构，其中，Ｍ代表二价金属或三价金属；当Ｍ是二价金属时ｙ是０，而当Ｍ是三价金属时ｙ是１；Ｑ代表（Ｃ６－Ｃ６０）芳氧基或三（Ｃ６－Ｃ６０）芳基甲硅烷基，且Ｑ的芳氧基或三芳基甲硅烷基可被（Ｃ１－Ｃ６０）烷基或（Ｃ６－Ｃ６０）芳基进一步取代。本发明专利技术的电致发光器件具有出色的色纯度和发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包含电致发光化合物的电致发光器件。
技术介绍
在显示器件中，电致发光器件(EL器件)是自发光型显示器件，与LCD相比具有宽视角、极佳对比以及快速响应速率的优点。 根据形成发射层的材料和发光机制可将EL器件分成无机EL器件和有机EL器件。其中，有机EL器件的发光效率、色纯度和操作电压较佳，并可方便地实现全色显示。 同时，Eastman Kodak在1987年首先研制了一种有机EL器件[Appl.Phys.Lett.51,913，1987]，该器件使用低分子量芳香族二胺作为形成EL层的材料以及铝配合物。 可根据功能将EL材料分成主体材料和掺杂剂材料。通常已知具有最佳EL性能的器件结构可用通过将掺杂剂掺入主体中制成的EL层制造。最近，迫切需要开发出具有高性能和长寿命的有机EL器件，考虑到中型到大型OLED面板所需的EL性能，尤其迫切需要开发出与传统EL材料相比具有好得多的EL性能的材料。对主体材料(作为固态溶剂和能量输送器)而言，所需性能为高纯度和能够在真空中气相沉积的合适分子量。此外，玻璃转化温度和热分解温度应足够高以确保热稳定性。此外，主体材料应具有高电化学稳定性以提供较长寿命。容易形成与其他相邻材料的高粘附性但没有层间迁移的无定形薄膜。 在OLED(有机发光二极管)中，决定发光效率的最重要因素是电致发光材料的种类。迄今，虽然荧光材料被广泛用于电致发光材料，但考虑电致发光机理，磷光材料的发展是将发光效率理论上提高至4倍的最好方法之一。 到目前为止，已知铱(III)配合物被广泛用作磷光材料，包括(acac)Ir(btp)2，Ir(ppy)3和Firpic，分别作为红，绿和蓝色磷光材料。特别的，大量磷光材料最近在日本，欧洲和美国被研究，并预期对进一步改进的磷光材料的研究。 迄今，作为用于磷光发光材料的主体材料，4，4’-N，N’-二咔唑-联苯(CBP)是广泛已知的，并且已经开发了采用空穴阻挡层(如BCP和BAlq)的高效率的OLED。East-North Pioneer(日本)等公司报道，使用二(2-甲基-8-喹啉代(quinolinato))(对-苯基苯酚)铝(III)(BAlq)及其衍生物作为磷光材料的主体开发出高性能OLED。 考虑到发光特性，现有技术中的材料是有利的，但它们具有低的玻璃转化温度和差的热稳定性，从而使得这些材料在高温真空气相沉积过程中倾向于发生转变。有机电致发光器件中，定义能效＝(π/电压)×电流效率。因此，能效与电压成反比，为了使OLED具有较低的能耗，能效应该更高。实际上，采用磷光电致发光(EL)材料的OLED与采用荧光EL材料的OLED相比，表现出明显更高的电流效率(cd/A)。然而，若采用常规的材料像BAlq和BCP作为磷光EL材料的主体材料，在能效(1m/w)方面并没有显著的优势，因为相对于采用荧光材料的OLED需要较高的操作电压。 通常，有机电致发光器件主要是由阳极/有机EL层/阴极构成的层叠结构，适当具有空穴注入传输层和电子注入层；例如，目前已知的结构为阳极/空穴注入层/空穴传输层/有机EL层/阴极；阳极/空穴注入层/空穴传输层/有机EL层/电子注入层/阴极；和阳极/空穴注入层/空穴传输层/有机EL层/电子传输层/电子注入层/阴极，等等。 这些层叠型器件的电子注入层或电子传输层可采用各种有机化合物。这些化合物包括轻金属配合物，典型为三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)，噁二唑，三唑，苯并咪唑，苯并噁唑，苯并噻唑，等等，但从EL亮度、耐久性等方面看来它们不能令人完全满意。其中，Alq3据称是最优选的化合物，其具有极佳稳定性和高电子亲和力。然而，当将其用于蓝色电致发光器件时，荧光会由于激子扩散而会使色纯度恶化。 如上所述，电致发光器件最近的商业化突飞猛进，表现为获得的薄型EL器件具有在低施加电压下高亮度、EL波长多样化且响应迅速，同时，低功率消耗也是高效能和长寿命器件所必需的。 专利技术概述 因此，本专利技术的目的是提供一种电致发光器件，其包括第一电极；第二电极；和至少一个插入所述第一电极和所述第二电极之间的有机层；其中，所述有机层包含二价金属或三价金属配合物作为主体材料，其中掺有各种电致发光掺杂剂。 本专利技术的另一个目的是提供一种具有极佳发光效率、高色纯度、低操作电压和良好使用期的电致发光器件。 具体地说，本专利技术的电致发光器件包括第一电极；第二电极；和至少一个插入所述第一电极和所述第二电极之间的有机层；该有机层包含一种或多种由化学式(1)代表的有机电致发光化合物作为主体材料 化学式1 L1L2M(Q)y 其中，配体L1和L2独立地选自以下结构 其中，M代表二价金属或三价金属； 当M是二价金属时y是0，而当M是三价金属时y是1； Q代表(C6-C60)芳氧基或三(C6-C60)芳基甲硅烷基，且Q的芳氧基或三芳基甲硅烷基可被(C1-C60)烷基或(C6-C60)芳基进一步取代； X代表O、S或Se； 环A和环B独立地代表5-元或6-元杂芳环，或与(C6-C60)芳环稠合的5-元或6-元杂芳环；环A可与R1形成化学键从而形成稠环，且环A或环B可被选自下组的一个或多个取代基进一步取代(C1-C60)烷基，卤素，被卤素取代的(C1-C60)烷基，(C6-C60)芳基，(C4-C60)杂芳基，三(C1-C30)烷基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基，三(C6-C30)芳基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基氨基和二(C6-C30)芳基氨基； R1至R7独立地代表氢，(C1-C60)烷基，卤素，具有卤素取代基的(C1-C60)烷基，三(C1-C30)烷基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基，三(C6-C30)芳基甲硅烷基，(C6-C60)芳基，(C4-C60)杂芳基，二(C1-C30)烷基氨基和二(C6-C30)芳基氨基；或者它们各自可通过亚烷基或亚烯基与相邻取代基相连而形成稠环；和 环A或环B上要被取代的芳基或杂芳基，或者R1至R7的芳基或杂芳基，或者通过亚烷基或亚烯基与相邻取代基相连而形成的稠环可被选自下组的一个或多个取代基进一步取代(C1-C60)烷基，卤素，氰基，具有卤素取代基的(C1-C60)烷基，(C3-C60)环烷基，(C1-C30)烷氧基，(C6-C60)芳基，(C4-C60)杂芳基，三(C1-C30)烷基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基，三(C6-C30)芳基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基氨基和二(C6-C30)芳基氨基。 附图简述 附图说明图1是OLED的横截面视图。 专利技术详述 参考附图，图1是OLED的截面图，该OLED包括玻璃1，透明电极2，空穴注入层3，空穴传输层4，电致发光层5，电子传输层6，电子注入层7和Al阴极8。 这里所述的术语“烷基”或“烷氧基”包括直链和支链的烷基或烷氧基。 这里所述的术语‘杂芳环’指的是包含一个或多个选自N、O或S的杂原子的5-元或6-元芳香基团，包括，例如吡咯、吡唑、噁唑、异噁唑、噻唑、异噻唑、咪唑、噁二唑、噻二唑、吡啶、吡嗪、嘧啶和哒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电致发光器件，其包括第一电极；第二电极；和至少一个插入所述第一电极和所述第二电极之间的有机层；　其中，所述有机层包含一种或多种由化学式（１）代表的主体化合物化学式１　Ｌ↑［１］Ｌ↑［２］Ｍ（Ｑ）↓［ｙ］　其中，配体Ｌ↑ ［１］和Ｌ↑［２］独立地选自以下结构：　＊＊＊　其中，Ｍ代表二价或三价金属；　当Ｍ是二价金属时ｙ是０，而当Ｍ是三价金属时ｙ是１；　Ｑ代表（Ｃ６－Ｃ６０）芳氧基或三（Ｃ６－Ｃ６０）芳基甲硅烷基，且Ｑ的芳氧基或三芳基甲硅 烷基可被（Ｃ１－Ｃ６０）烷基或（Ｃ６－Ｃ６０）芳基进一步取代；　Ｘ代表Ｏ、Ｓ或Ｓｅ；　环Ａ和环Ｂ独立地代表５－元或６－元杂芳环，或与（Ｃ６－Ｃ６０）芳环稠合的５－元或６－元杂芳环；环Ａ可与Ｒ１形成化学键从而形成稠环，且环Ａ或环Ｂ 可被选自下组的一个或多个取代基进一步取代：（Ｃ１－Ｃ６０）烷基，卤素，被卤素取代的（Ｃ１－Ｃ６０）烷基，（Ｃ６－Ｃ６０）芳基，（Ｃ４－Ｃ６０）杂芳基，三（Ｃ１－Ｃ３０）烷基甲硅烷基，二（Ｃ１－Ｃ３０）烷基（Ｃ６－Ｃ３０）芳基甲硅烷基，三（Ｃ６－Ｃ３０）芳基甲硅烷基，二（Ｃ１－Ｃ３０）烷基氨基和二（Ｃ６－Ｃ３０）芳基氨基；　Ｒ↓［１］至Ｒ↓［７］独立地代表氢，（Ｃ１－Ｃ６０）烷基，卤素，具有卤素取代基的（Ｃ１－Ｃ６０）烷基，三（Ｃ１－Ｃ３０）烷基甲硅烷基，二（Ｃ１－Ｃ３０ ）烷基（Ｃ６－Ｃ３０）芳基甲硅烷基，三（Ｃ６－Ｃ３０）芳基甲硅烷基，（Ｃ６－Ｃ６０）芳基，（Ｃ４－Ｃ６０）杂芳基，二（Ｃ１－Ｃ３０）烷基氨基和二（Ｃ６－Ｃ３０）芳基氨基；或者它们各自可通过亚烷基或亚烯基与相邻取代基相连而形成稠环；和　 环Ａ或环Ｂ上要被取代的芳基或杂芳基，或者Ｒ↓［１］至Ｒ↓［７］的芳基或杂芳基，或者通过亚烷基或亚烯基与相邻取代基相连而形成的稠环可被选自下组的一个或多个取代基进一步取代：（Ｃ１－Ｃ６０）烷基，卤素，氰基，具有卤素取代基的（Ｃ１－Ｃ６０）烷基，（Ｃ３－Ｃ６０）环烷基，（Ｃ１－Ｃ３０）烷氧基，（Ｃ６－Ｃ６０）芳基，（Ｃ４－Ｃ６０）杂芳基，三（Ｃ１－Ｃ３０）烷基甲硅烷基，二（Ｃ１－Ｃ３０）烷基（Ｃ６－Ｃ３０）芳基甲硅烷基，三（Ｃ６－Ｃ３０）芳基甲硅烷基，二（Ｃ１－Ｃ３０）烷基氨基和二（Ｃ６－Ｃ３０）芳基氨基。...

【技术特征摘要】
KR 2007-12-31 10-2007-01419971.一种电致发光器件，其包括第一电极；第二电极；和至少一个插入所述第一电极和所述第二电极之间的有机层；其中，所述有机层包含一种或多种由化学式(1)代表的主体化合物化学式1L1L2M(Q)y其中，配体L1和L2独立地选自以下结构其中，M代表二价或三价金属；当M是二价金属时y是0，而当M是三价金属时y是1；Q代表(C6-C60)芳氧基或三(C6-C60)芳基甲硅烷基，且Q的芳氧基或三芳基甲硅烷基可被(C1-C60)烷基或(C6-C60)芳基进一步取代；X代表O、S或Se；环A和环B独立地代表5-元或6-元杂芳环，或与(C6-C60)芳环稠合的5-元或6-元杂芳环；环A可与R1形成化学键从而形成稠环，且环A或环B可被选自下组的一个或多个取代基进一步取代(C1-C60)烷基，卤素，被卤素取代的(C1-C60)烷基，(C6-C60)芳基，(C4-C60)杂芳基，三(C1-C30)烷基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基，三(C6-C30)芳基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基氨基和二(C6-C30)芳基氨基；R1至R7独立地代表氢，(C1-C60)烷基，卤素，具有卤素取代基的(C1-C60)烷基，三(C1-C30)烷基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基，三(C6-C30)芳基甲硅烷基，(C6-C60)芳基，(C4-C60)杂芳基，二(C1-C30)烷基氨基和二(C6-C30)芳基氨基；或者它们各自可通过亚烷基或亚烯基与相邻取代基相连而形成稠环；和环A或环B上要被取代的芳基或杂芳基，或者R1至R7的芳基或杂芳基，或者通过亚烷基或亚烯基与相邻取代基相连而形成的稠环可被选自下组的一个或多个取代基进一步取代(C1-C60)烷基，卤素，氰基，具有卤素取代基的(C1-C60)烷基，(C3-C60)环烷基，(C1-C30)烷氧基，(C6-C60)芳基，(C4-C60)杂芳基，三(C1-C30)烷基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基，三(C6-C30)芳基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基氨基和二(C6-C30)芳基氨基。2.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述配体L1和L2独立地选自以下结构其中，X，R1，R2，R3和R4如权利要求1所定义；Y代表O、S或NR24；R11至R23独立地代表氢，(C1-C60)烷基，卤素，具有卤素取代基的(C1-C60)烷基，(C6-C60)芳基，(C4-C60)杂芳基，三(C1-C30)烷基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基，三(C6-C30)芳基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基氨基或二(C6-C30)芳基氨基；或者R13至R16和R17至R20各自可通过亚烷基或亚烯基与相邻取代基相连而形成稠环；且所述稠环可被一个或多个选自下组的取代基进一步取代(C1-C60)烷基，卤素，氰基，具有卤素取代基的(C1-C60)烷基，(C3-C60)环烷基，(C1-C30)烷氧基，(C6-C60)芳基，(C4-C60)杂芳基，三(C1-C30)烷基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基，三(C6-C30)芳基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基氨基和二(C6-C30)芳基氨基；R24代表(C1-C60)烷基或(C6-C60)芳基；和R11至R24的芳基或杂芳基可被一个或多个选自下组的取代基进一步取代(C1-C60)烷基，卤素，氰基，具有卤素取代基的(C1-C60)烷基，(C3-C60)环烷基，(C1-C30)烷氧基，(C6-C60)芳基，(C4-C60)杂芳基，三(C1-C30)烷基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基，三(C6-C30)芳基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基氨基和二(C6-C30)芳基氨基。3.如权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述配体L1和L2独立地选自以下结构其中，X如权利要求1所定义；R1至R7独立地代表氢，(C1-C60)烷基，卤素，具有卤素取代基的(C1-C60)烷基，三(C1-C30)烷基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基，三(C6-C30)芳基甲硅烷基，(C6-C60)芳基，(C4-C60)杂芳基，二(C1-C30)烷基氨基或二(C6-C30)芳基氨基；R11至R23独立地代表氢，(C1-C60)烷基，卤素，具有卤素取代基的(C1-C60)烷基，(C6-C60)芳基，(C4-C60)杂芳基，三(C1-C30)烷基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基，三(C6-C30)芳基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基氨基或二(C6-C30)芳基氨基；R24代表(C1-C60)烷基，(C6-C60)芳基或(C4-C60)杂芳基；R25至R32独立地代表氢，(C1-C60)烷基，卤素，氰基，具有卤素取代基的(C1-C60)烷基，(C3-C60)环烷基，(C1-C30)烷氧基，(C6-C60)芳基，(C4-C60)杂芳基，三(C1-C30)烷基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基，三(C6-C30)芳基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基氨基或二(C6-C30)芳基氨基；R1至R7、R11至R23、R24以及R25至R32的芳基或杂芳基可被一个或多个选自下组的取代基进一步取代(C1-C60)烷基，卤素，氰基，具有卤素取代基的(C1-C60)烷基，(C3-C60)环烷基，(C1-C30)烷氧基，(C6-C60)芳基，(C4-C60)杂芳基，三(C1-C30)烷基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基，三(C6-C30)芳基甲硅烷基，二(C1-C30)烷基氨基和二(C6-C30)芳基氨基。4.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，M是选自Be、Zn、Mg、Cu和Ni...

【专利技术属性】
技术研发人员：金贤，阴盛镇，赵英俊，权赫柱，金奉玉，金圣珉，尹胜洙，
申请(专利权)人：葛来西雅帝史派有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]