【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体封装，尤其涉及一种半导体封装结构及其制备方法以及存储系统。
技术介绍
1、产品(半导体封装结构)在正式量产出货后，由于产品的工艺漂移和封装工艺缺陷等原因，有一定概率出现某一批次或多个批次产品被批量退回的情况。如果批量退回的产品量较大，且退回的样品封装类型独特，不能与其他客户的封装类型兼容，这意味着这批样品也无法用于其他家客户的平台上，那么这种情况下这批被退产品可能就只能报废处理，这会给公司带来极大的损失。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种能够实现被退回的半导体封装结构的批量重复使用的半导体封装结构及其制备方法以及存储系统。
2、为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
3、第一方面，本申请提供一种半导体封装结构的制备方法，包括步骤：
4、提供初始半导体封装结构，所述初始半导体封装结构包括晶粒器件、初始基板及初始封装层，所述晶粒器件位于所述初始基板的一侧且与所述初始基板电连接，所述初始封装层位于所述初始基板上且包覆所述晶粒器件；
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【技术保护点】
1.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述晶粒器件通过第一连接线与所述初始基板电连接，所述封装基板位于所述初始封装层的远离所述初始基板的一侧；
3.如权利要求2所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述初始封装层包括远离所述初始基板的第一侧，所述晶粒封装器件包括所述第一侧及远离所述第一侧的第二侧；
4.如权利要求2所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述初始封装层包括远离所述初始基板的第一侧，所述晶粒封装器件包括所述第一侧及远离所述第一侧的第二
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【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述晶粒器件通过第一连接线与所述初始基板电连接，所述封装基板位于所述初始封装层的远离所述初始基板的一侧；
3.如权利要求2所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述初始封装层包括远离所述初始基板的第一侧，所述晶粒封装器件包括所述第一侧及远离所述第一侧的第二侧；
4.如权利要求2所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述初始封装层包括远离所述初始基板的第一侧，所述晶粒封装器件包括所述第一侧及远离所述第一侧的第二侧；
5.如权利要求1-4任一项所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述初始半导体封装结构还包括芯片结构，所述芯片结构位于所述初始基板及所述晶粒器件之间且与所述初始基板电连接；
6.如权利要求5所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述芯片结构包括芯片及第一初始粘结层，所述第一初始粘结层形成在所述初始基板上且包覆所述芯片，所述芯片与所述初始基板电连接，所述晶粒器件粘结在所述第一初始粘结层上；
7.如权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，在所述去除所述芯片结构的步骤的同时，半导体封装结构的制备方法还包括：
8.如权利要求7所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，去除部分所述初始封装层的同时，还包括：去除部分所述第一连接线；
9.如权利要求3所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述晶粒器件包括晶粒，并在所述晶粒上设置连接垫；
10.如权利要求9所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，将第二连接线的两端分别与自所述第二侧露出的所述第一连接线及所述封装基板电连接，以使得所述第二连接线的最高点到所述封装基板的垂直距离大于所述晶粒封装器件在所述堆叠方向上的厚度。
11.如权利要求9所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述封...
【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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