【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体工艺，尤其是涉及一种下电极组件、薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备。
技术介绍
1、高密度等离子体化学气相沉积(high-density plasma chemical vapordeposition，hdpcvd)过程中，晶圆被下电极组件支撑并静电吸附在中心位置，以保证工艺过程中晶圆成膜的高合格率。下电极组件包括静电吸盘，聚焦环，支撑环，绝缘盘，基座五大部分，可以对晶圆的温度和电场分布进行控制。
2、在下电极组件装配过程中，静电吸盘、绝缘盘和基座通过是通过螺钉连接在一起，而这三者装配时基本依靠人工以目视并辅以量规的方式来完成对中确认，这种方式不仅耗时耗力，而且三者组装后通常难以同心，聚焦环与静电吸盘某一侧径向间隙过大，而晶圆是通过聚焦环定位的，所以会造成等离子体通过晶圆背面间隙大处进入下电极组件狭缝空间，极易产生电弧击穿，损坏晶圆和静电吸盘，造成严重后果。另外静电吸盘用于与绝缘盘配合的台阶结构在不同心状态下极易受热膨胀挤裂绝缘盘，造成静电吸盘与基座的直接电连接，产生严重电弧击穿问题。
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【技术保护点】
1.一种下电极组件，其特征在于，包括基座(10)、绝缘盘(20)和静电吸盘(30)，所述基座(10)具有安装槽(11)，所述绝缘盘(20)和所述静电吸盘(30)叠放至所述安装槽(11)内，所述静电吸盘(30)位于所述绝缘盘(20)之上，其中，所述基座(10)、所述绝缘盘(20)和所述静电吸盘(30)通过定位组件对中定位后再进行连接固定。
2.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述定位组件包括至少两个上定位销(60)；
3.根据权利要求2所述的下电极组件，其特征在于，各所述第一定位孔沿着所述静电吸盘(30)的周向均匀间隔分布，各所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种下电极组件，其特征在于，包括基座(10)、绝缘盘(20)和静电吸盘(30)，所述基座(10)具有安装槽(11)，所述绝缘盘(20)和所述静电吸盘(30)叠放至所述安装槽(11)内，所述静电吸盘(30)位于所述绝缘盘(20)之上，其中，所述基座(10)、所述绝缘盘(20)和所述静电吸盘(30)通过定位组件对中定位后再进行连接固定。
2.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述定位组件包括至少两个上定位销(60)；
3.根据权利要求2所述的下电极组件，其特征在于，各所述第一定位孔沿着所述静电吸盘(30)的周向均匀间隔分布，各所述第二定位孔沿着所述绝缘盘(20)的周向均匀间隔分布；
4.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述定位组件包括至少两个下定位销(70)；
5.根据权利要求4所述的下电极组件，其特征在于，各所述第三定位孔沿着所述绝缘盘(20)的周向均匀间隔分布，各所述第四定位孔沿着所述基座(10)的周向均匀间隔分布；
6.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述定位组件包括至少两个限位块(80)，全部所述限位块(80)用于可拆卸地插进所述静电吸盘(30)的外圆周面、所述绝缘盘(20)的外圆周面...
【专利技术属性】
技术研发人员：李钦波，孟亮，蒲泽鼐，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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