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本技术公开了一种下电极组件、薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备,通过定位组件将基座、绝缘盘和静电吸盘进行定位,以使得基座、绝缘盘和静电吸盘对中同心,之后再将基座、绝缘盘和静电吸盘三者依次连接固定后即可保证座、绝缘盘和静电吸盘对中同心,如此便于支撑...该专利属于拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司授权不得商用。
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本技术公开了一种下电极组件、薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备,通过定位组件将基座、绝缘盘和静电吸盘进行定位,以使得基座、绝缘盘和静电吸盘对中同心,之后再将基座、绝缘盘和静电吸盘三者依次连接固定后即可保证座、绝缘盘和静电吸盘对中同心,如此便于支撑...