【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及封装领域，特别涉及一种半导体sip封装电源模块的塑封工艺。
技术介绍
1、目前带有散热盖(heat sink)的电源模块系统级封装(sip)产品在后道工艺中需要经过塑封，植球，切割，激光烧蚀等工序。其中塑封是将环氧塑封料(emc)压入模腔并将其中的半导体芯片及所有电器原件被环氧树脂包埋，在模腔内交联固化成型后成为具有一定结构外型的半导体器件，其目的是为芯片提供保护，防止各种环境因素如湿气、灰尘和物理冲击对其造成损害，散热盖的作用是与空气接触散发掉元器件在工作是产生的热量。
2、元器件在进行塑封时，散热盖被环氧树脂给覆盖包裹，需要进行下道技术工艺将散热盖处理裸露出来，在下道工艺处理过产中，散热盖露出高度因前段工序制造造成累计误差，塑封完成后散热盖的高度参差不齐，需要使用激光将散热盖表面emc烧蚀掉，蚀掉过程因为无法控制激光烧蚀量，一方面emc残留影响散热效果；另一方面激光烧蚀过度散热盖受损影响散热性能。因此现有的封装工艺中因工艺处理无法准确达到期望效果，从而直接影响整sip单元的外观要求及性能要求。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种半导体sip封装电源模块的塑封工艺，其目的是为了解决现有的sip封装电源在封装过程中需要对散热盖上残留的塑封材料进行烧蚀，造成影响散热盖的散热效果及性能问题。
2、为了达到上述目的，本专利技术的实施例提供了一种半导体sip封装电源模块的塑封工艺，包括：
3、s10.制作封装模具：
4、制作
5、s20.安装基础元件：
6、将基板固定在下模具上，并在基板上贴装电感元件、mos元件和芯片元件；
7、s30.加工散热盖并贴装散热盖：
8、采用激光对散热盖的表面进行灼烧并在散热盖表面的边缘形成围坝和壕沟，将散热盖的一个支脚与电感元件连接，另一个支脚与mos元件连接；
9、s40.铺设离型膜：利用真空吸附原理将离型膜铺设在塑封腔内；
10、s50.合模并塑封：将上模具和下模具合模，并确保围坝与离型膜贴合，向封装模具中注入塑封材料，并通过检测排气通道的排气量控制塑封质量；
11、s60.停止塑封并开模：
12、当塑封腔内充满塑封材料后，停止塑封，在封装模具冷却后开模，取出封装产品。
13、优选地，在步骤s10中，所述上模具在上模具与下模具合模处形成所述排气通道，所述上模具在上模具与下模具合模处还形成有浇口，所述排气通道和所述浇口分别位于上模具的不同侧壁上。
14、优选地，在步骤s10中，所述边角与所述坡面的纵截面构成等腰直角三角形。
15、优选地，在所述步骤s30中，采用红外激光对散热盖进行灼蚀，红外激光的能量为10w，频率为33khz，脉宽为100um，速度为550mm/s，波长为532nm。
16、优选地，激光灼蚀出的围坝高度h为25-35um，激光灼蚀出的壕沟深度h为40-50um，宽度w为30-40um。
17、优选地，在步骤s40中，将离型膜平铺在上模具的塑封腔、浇口和排气通道内。
18、优选地，在步骤s50中，开启塑封设备，并将根据排气量调整塑封设备的塑封速度，塑封设备在塑封腔温度为168摄氏度时以1.5mm/s的速度进行塑封，若排气量小于预设排气量，采用抽气设备排出塑封腔内的气体，若排气量大于预设排气量，则降低塑封设备的塑封速度。
19、本专利技术的上述方案有如下的有益效果：
20、在本申请中，通过在散热盖安装前进行烧蚀，使得散热盖的上表面形成围坝，围坝自身能够阻挡塑封材料蔓延至散热盖的中央，又与离型膜接触，进一步的阻挡了塑封材料的蔓延，使得通过本工艺产生的电源模块不需要再对散热盖上残留的塑封材料进行蚀刻，确保了散热盖的散热效率和散热性能，同时也避免了因过度灼蚀造成散热盖变色。
21、本专利技术的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
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1.一种半导体SIP封装电源模块的塑封工艺，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体SIP封装电源模块的塑封工艺，其特征在于：在步骤S10中，所述上模具(1)在上模具(1)与下模具(2)合模处形成所述排气通道(11)，所述上模具(1)在上模具(1)与下模具(2)合模处还形成有浇口(13)，所述排气通道(11)和所述浇口(13)分别位于上模具(1)的不同侧壁上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体SIP封装电源模块的塑封工艺，其特征在于：在步骤S10中，所述边角与所述坡面(12)的纵截面构成等腰直角三角形。
4.根据权利要求1所述的半导体SIP封装电源模块的塑封工艺，其特征在于：在所述步骤S30中，采用红外激光对散热盖(4)进行灼蚀，红外激光的能量为10W，频率为33KHz，脉宽为100um，速度为550mm/s，波长为532nm。
5.根据权利要求1或4所述的半导体SIP封装电源模块的塑封工艺，其特征在于：激光灼蚀出的围坝高度h为25-35um，激光灼蚀出的壕沟深度H为40-50um，宽度W为30-40um。
7.根据权利要求1所述的半导体SIP封装电源模块的塑封工艺，其特征在于：在步骤S50中，开启塑封设备，并将根据排气量调整塑封设备的塑封速度，塑封设备在塑封腔温度为168摄氏度时以1.5mm/s的速度进行塑封，若排气量小于预设排气量，采用抽气设备排出塑封腔内的气体，若排气量大于预设排气量，则降低塑封设备的塑封速度。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体sip封装电源模块的塑封工艺，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体sip封装电源模块的塑封工艺，其特征在于：在步骤s10中，所述上模具(1)在上模具(1)与下模具(2)合模处形成所述排气通道(11)，所述上模具(1)在上模具(1)与下模具(2)合模处还形成有浇口(13)，所述排气通道(11)和所述浇口(13)分别位于上模具(1)的不同侧壁上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体sip封装电源模块的塑封工艺，其特征在于：在步骤s10中，所述边角与所述坡面(12)的纵截面构成等腰直角三角形。
4.根据权利要求1所述的半导体sip封装电源模块的塑封工艺，其特征在于：在所述步骤s30中，采用红外激光对散热盖(4)进行灼蚀，红外激光的能量为10w，频率为33khz，脉宽为100um...
【专利技术属性】
技术研发人员：甘宗保，张磊，赵澎，廖才敬，
申请(专利权)人：长沙安牧泉智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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