System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种CIGS薄膜太阳能电池掺Na同时制备ZnS缓冲层的方法技术_技高网

一种CIGS薄膜太阳能电池掺Na同时制备ZnS缓冲层的方法技术

技术编号:42696176 阅读:13 留言:0更新日期:2024-09-13 11:53
本发明专利技术涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种CIGS薄膜太阳能电池掺Na同时制备ZnS缓冲层的方法。本发明专利技术将锌源、硫源、缓冲剂、络合剂和水混合,得到反应溶液;将已经沉积有CIGS光吸收层薄膜的衬底放入反应溶液中,进行反应,在CIGS光吸收层薄膜上制得ZnS缓冲层薄膜;将沉积有CIGS光吸收层薄膜和ZnS缓冲层薄膜的衬底在氨水中浸泡,干燥后于空气中进行退火处理,空冷至室温,即可。该方法既可采用柔性金属材料,也可采用刚性玻璃材料作为电池衬底;采用化学水浴法制备ZnS缓冲层的同时对CIGS光吸收层掺Na,既有利于提高电池性能,又简化了工艺流程,并且原料廉价易得,降低电池生产成本,适合大规模工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳电池,尤其涉及一种cigs薄膜太阳能电池掺na同时制备zns缓冲层的方法。


技术介绍

1、能源危机和环境污染是当今全球所面临的两大基本问题。太阳能因其覆盖面积广,取之不尽的优良特性,使之成为解决能源危机的一种重要途径。cigs薄膜太阳能电池因为其材料光学带隙可调、抗辐射能力强、电池性能稳定、弱光性好等优点,使之成为薄膜太阳能电池中最有发展前景的光伏材料之一。

2、铜铟镓硒(cigs)薄膜太阳能电池主要以cds作为缓冲层。cds缓存层存在以下缺点:(1)cds的禁带宽度为2.4ev,不利于电池对短波段光线的吸收;(2)cd为重金属,在制备cds缓冲层时产生的含cd废液对环境有害,因此急需一种对环境友好的缓冲层材料。zns禁带宽度达3.7ev,原料易于获得,无毒,对环境友好,成为cigs薄膜太阳能电池缓冲层的最佳替代材料,已成为cigs薄膜太阳能领域的一个研究热点。

3、cigs薄膜太阳能电池领域中有关吸收层掺na后改善电池效率的文献很多,对其中的机理也有非常多的研究。为了实现对cigs吸收层掺na,从而提高柔性衬底cigs电池效率的目的,可采用掺na钼靶材在镀钼时进行na的掺入,进而通过na的扩散实现对cigs吸收层的掺杂,然而掺na钼靶材极难制备且不易保存。也有人通过对cigs四元靶材中掺na以达到吸收层掺杂的目的,并以此来提高电池效率,但靶材制备成本相对较高。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种cigs薄膜太阳能电池掺na同时制备zns缓冲层的方法,以解决现有技术中存在的问题。

2、为了实现上述专利技术目的,本专利技术提供以下技术方案:

3、本专利技术提供了一种cigs薄膜太阳能电池掺na同时制备zns缓冲层的方法,包含以下步骤:

4、步骤1)将锌源、硫源、缓冲剂、络合剂和水混合,得到反应溶液;

5、步骤2)将已经沉积有cigs光吸收层薄膜的衬底放入步骤1)的反应溶液中,进行反应,在cigs光吸收层薄膜上制得zns缓冲层薄膜;

6、步骤3)将步骤2)得到的沉积有cigs光吸收层薄膜和zns缓冲层薄膜的衬底在氨水中浸泡,干燥后于空气中进行退火处理,空冷至室温,即可。

7、可选的,所述锌源包含硫酸锌、氯化锌或硝酸锌;锌源在反应溶液中的浓度为0.1~0.5mol/l;

8、所述硫源包含硫脲;硫源在反应溶液中的浓度为0.1~1.5mol/l;

9、所述缓冲剂包含氯化铵、硫酸铵或硝酸铵;缓冲剂在反应溶液中的浓度为0.05~0.1mol/l;

10、所述络合剂为氨水和柠檬酸钠;氨水在反应溶液中的浓度为0.1~3mol/l,柠檬酸钠在反应溶液中的浓度为2~5mol/l。

11、可选的,步骤1)中的各组分按如下顺序添加:先将锌源和缓冲剂混合,随后加入络合剂,然后加入硫源,最后加入水定容后搅拌均匀,放在室温下空气中静置3~5min。

12、可选的,所述衬底为柔性金属材料或刚性玻璃材料。

13、可选的,所述反应是在水浴加热中先静置反应再搅拌反应,水浴的温度为70~90℃,静置反应的时间为15~25min,搅拌反应的时间为30~50min;所述搅拌是通入流量为100~200ml/min的空气或氮气进行气体搅拌,或者采用机械搅拌。

14、可选的,所述氨水的浓度为3~5mol/l;所述浸泡的时间为3~5min。

15、可选的,所述退火的温度为150~250℃,时间为30~50min。

16、可选的,zns缓冲层薄膜厚度为20~60nm。

17、与现有技术相比,本专利技术具有如下有益效果:

18、本专利技术所述方法既可采用柔性金属材料,也可以采用刚性玻璃材料作为电池衬底;本专利技术制备的cigs膜层的晶粒间分布有晶界,采用化学水浴法制备zns缓冲层时,水浴制备的zns膜层中的na沿晶界向cigs层中扩散,从而实现制备zns缓冲层的同时对cigs光吸收层掺na,既有利于提高电池性能,又简化了工艺流程,并且原料廉价易得,降低了电池生产成本,适合大规模工业化生产。

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【技术保护点】

1.一种CIGS薄膜太阳能电池掺Na同时制备ZnS缓冲层的方法,其特征在于,包含以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种CIGS薄膜太阳能电池掺Na同时制备ZnS缓冲层的方法,其特征在于,所述锌源包含硫酸锌、氯化锌或硝酸锌;锌源在反应溶液中的浓度为0.1~0.5mol/L;

3.根据权利要求1或2所述的一种CIGS薄膜太阳能电池掺Na同时制备ZnS缓冲层的方法,其特征在于,步骤1)中的各组分按如下顺序添加:先将锌源和缓冲剂混合,随后加入络合剂,然后加入硫源,最后加入水定容后搅拌均匀,放在室温下空气中静置3~5min。

4.根据权利要求1所述的一种CIGS薄膜太阳能电池掺Na同时制备ZnS缓冲层的方法,其特征在于,所述衬底为柔性金属材料或刚性玻璃材料。

5.根据权利要求1所述的一种CIGS薄膜太阳能电池掺Na同时制备ZnS缓冲层的方法,其特征在于,所述反应是在水浴加热中先静置反应再搅拌反应,水浴的温度为70~90℃,静置反应的时间为15~25min,搅拌反应的时间为30~50min;所述搅拌是通入流量为100~200ml/min的空气或氮气进行气体搅拌,或者采用机械搅拌。

6.根据权利要求1所述的一种CIGS薄膜太阳能电池掺Na同时制备ZnS缓冲层的方法,其特征在于,所述氨水的浓度为3~5mol/L;所述浸泡的时间为3~5min。

7.根据权利要求1所述的一种CIGS薄膜太阳能电池掺Na同时制备ZnS缓冲层的方法,其特征在于,所述退火的温度为150~250℃,时间为30~50min。

8.根据权利要求1所述的一种CIGS薄膜太阳能电池掺Na同时制备ZnS缓冲层的方法,其特征在于,ZnS缓冲层薄膜厚度为20~60nm。

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【技术特征摘要】

1.一种cigs薄膜太阳能电池掺na同时制备zns缓冲层的方法,其特征在于,包含以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种cigs薄膜太阳能电池掺na同时制备zns缓冲层的方法,其特征在于,所述锌源包含硫酸锌、氯化锌或硝酸锌;锌源在反应溶液中的浓度为0.1~0.5mol/l;

3.根据权利要求1或2所述的一种cigs薄膜太阳能电池掺na同时制备zns缓冲层的方法,其特征在于,步骤1)中的各组分按如下顺序添加:先将锌源和缓冲剂混合,随后加入络合剂,然后加入硫源,最后加入水定容后搅拌均匀,放在室温下空气中静置3~5min。

4.根据权利要求1所述的一种cigs薄膜太阳能电池掺na同时制备zns缓冲层的方法,其特征在于,所述衬底为柔性金属材料或刚性玻璃材料。

5.根据权利要求1所述的一种cigs薄膜太阳能电池掺n...

【专利技术属性】
技术研发人员:张宁陈玉峰
申请(专利权)人:北京圣阳科技发展有限公司
类型:发明
国别省市:

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