【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工技术处理领域，尤其是涉及一种晶片加工设备。
技术介绍
1、相关技术中指出，晶片减薄磨削中，采用测量仪实时测量晶片厚度时，测量仪检测头与晶片、陶瓷吸盘表面之间相对运动产生摩擦，会使检测头温度升高而产生形变，造成测量不准确。
技术实现思路
1、本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术在于提出一种晶片加工设备，所述晶片加工设备可以对检测头进行双重降温和清洗，进而可以进一步减少检测头发生形变的概率和检测不稳定的现象，从而可以进一步提高检测装置的测量稳定性和测量准确性。
2、根据本技术的晶片加工设备，包括：磨削装置，所述磨削装置具有用于固定晶片的磨削工作台；检测装置，所述检测装置具有用于检测所述磨削工作台上的晶片的厚度的检测头；喷淋装置，所述喷淋装置包括：喷淋管，所述喷淋管上形成有喷淋孔，所述喷淋装置被配置为通过所述喷淋孔向所述磨削工作台、置于所述工作台上的晶片和/或所述检测头喷射流体；喷水管，所述喷水管形成有喷水孔，所述喷水孔朝向所述检测头设置用...
【技术保护点】
1.一种晶片加工设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶片加工设备，其特征在于，所述喷淋孔数量为多个，多个所述喷淋孔沿所述喷淋管的长度方向间隔布置。
3.根据权利要求2所述的晶片加工设备，其特征在于，所述喷淋管为在水平面内延伸的直管，所述喷淋管布置在所述磨削工作台的上方，多个所述喷淋孔形成于所述喷淋管的中心轴线的下侧。
4.根据权利要求3所述的晶片加工设备，其特征在于，所述喷淋管布置在所述检测头的正上方。
5.根据权利要求1所述的晶片加工设备，其特征在于，所述喷水管包括：直管段和弯管段，所述直管段在水平面内沿...
【技术特征摘要】
1.一种晶片加工设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶片加工设备，其特征在于，所述喷淋孔数量为多个，多个所述喷淋孔沿所述喷淋管的长度方向间隔布置。
3.根据权利要求2所述的晶片加工设备，其特征在于，所述喷淋管为在水平面内延伸的直管，所述喷淋管布置在所述磨削工作台的上方，多个所述喷淋孔形成于所述喷淋管的中心轴线的下侧。
4.根据权利要求3所述的晶片加工设备，其特征在于，所述喷淋管布置在所述检测头的正上方。
5.根据权利要求1所述的晶片加工设备，其特征在于，所述喷水管包括：直管段和弯管段，所述直管段在水平面内沿直线延伸，所述弯管段的一端与所述直管段的一端相连，在所述直管段的长度方向上，所述弯管段的另一端沿向下且远离所述直管段的弧线延伸，所述喷水孔形成于所述弯管段的下端的端部。
6.根据权利要求5所述的晶片加工设备，其特征在于，所述喷水管布置在所述检测头在所述工作台的周向上的一侧，在从上往下...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：江苏元夫半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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