【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，尤其涉及一种沟槽型mos器件及其形成方法。
技术介绍
1、沟槽型mos(metal-oxide-semiconductor，金属-氧化物半导体)器件将晶体管中的栅极结构形成在垂直于衬底表面的沟槽内，并使得晶体管的源电极和漏电极分布于所述衬底的相对两侧，从而不仅有助于缩小mos器件的尺寸，降低mos器件的制造难度，而且能够降低晶体管的导通电阻并提高晶体管内的电流密度，实现mos器件性能的提升。
2、沟槽型mos器件在制造过程中，在衬底内形成沿垂直于所述衬底的表面的方向延伸的栅极沟槽之后，填充栅极材料至所述栅极沟槽内。之后，需要对所述栅极沟槽内填充的所述栅极材料进行回刻蚀，以去除部分的所述栅极材料，并以所述栅极沟槽内剩余的所述栅极材料作为栅极导电层。接着，沉积绝缘材料于刻蚀后剩余的所述栅极导电层上，以隔绝所述栅极导电层和后续在所述衬底上形成的源电极。所述衬底的表面上通常设置有对准标记，用于后续形成信号连接孔时进行位置对准。然而，在回刻蚀所述栅极材料的过程中，经常会对所述对准标记造成损伤，使得所述对准标...
【技术保护点】
1.一种沟槽型MOS器件的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的沟槽型MOS器件的形成方法，其特征在于，形成基底的具体步骤包括：
3.根据权利要求2所述的沟槽型MOS器件的形成方法，其特征在于，填充栅极材料至所述沟槽内，形成所述栅极层的具体步骤包括：
4.根据权利要求3所述的沟槽型MOS器件的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述标记的牺牲层之前，还包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的沟槽型MOS器件的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述标记的牺牲层的具体步骤包括：
6.根据权利要求5所...
【技术特征摘要】
1.一种沟槽型mos器件的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的沟槽型mos器件的形成方法，其特征在于，形成基底的具体步骤包括：
3.根据权利要求2所述的沟槽型mos器件的形成方法，其特征在于，填充栅极材料至所述沟槽内，形成所述栅极层的具体步骤包括：
4.根据权利要求3所述的沟槽型mos器件的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述标记的牺牲层之前，还包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的沟槽型mos器件的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述标记的牺牲层的具体步骤包括：
6.根据权利要求5所述的沟槽型mos器件的形成方法，其特征在于，回刻蚀部分所述栅极层的具体步骤包括：
7...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晴晴，颜毅林，刘龙平，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。