【技术实现步骤摘要】
本技术涉及陶瓷电容芯片，具体为一种管状陶瓷电容芯片。
技术介绍
1、陶瓷电容是指用高介电常数的电容器陶瓷钛酸钡一氧化钛挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成，其通常可分为高频瓷介和低频瓷介两种，而陶瓷电容芯片通常应用于陶瓷电容器中，其形状多样，圆柱形的管状陶瓷电容芯片则属于其中之一。
2、目前的陶瓷电容芯片能够较好的满足电容器的电容存储需求，其主要设置有陶瓷电容基体、外电极与内电极等部件，具体的是将内电极与外电极分别设置于陶瓷电容基体的内外壁上，即可组合形成陶瓷电容芯片，以用于陶瓷电容的电容量存储，根据上述可知，该陶瓷电容芯片虽能够对电容器的电容进行存储，但通常外电极与内电机两端边缘位置处的空间较小，使其易产生空气击穿放电的现象，进而影响该陶瓷电容芯片的耐高压性能，时常困扰着人们。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种管状陶瓷电容芯片，以解决上述
技术介绍
中提出陶瓷电容芯片虽能够对电容器的电容进行存储，但通常外电极与内电机两端边缘位置处的空间较小，使其易产生空气击穿放电的现象，进而影响该陶瓷电容芯片耐高压性能的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种管状陶瓷电容芯片，包括陶瓷基体，所述陶瓷基体的外壁上设有外电极，所述外电极的内径与陶瓷基体的外径相等，所述陶瓷基体的内壁上设有内电极，所述内电极的外径与陶瓷基体的内径相等，所述内电极的厚度与外电极的厚度相等，所述陶瓷基体的顶端设有上爬电环，所述陶瓷基体的底端设有下
3、优选的，所述上挡板的外壁上设有上环形槽，所述上环形槽内部的两侧皆滑动连接有上凸块，所述上凸块的一端延伸至上环形槽的外部并与上爬电环的内壁固定连接，以便将上挡板活动安置于上爬电环的内部。
4、优选的，所述上导线槽与下导线槽内部的边缘位置处皆安装有橡胶防护垫环，所述橡胶防护垫环的两端皆延伸至上导线槽与下导线槽的外部，以便对贯穿于上导线槽与下导线槽中的导线外壁进行柔性防护处理。
5、优选的，所述下挡板的外壁上设有下环形槽，所述下环形槽内部的两侧皆滑动连接有下凸块，所述下凸块的一端延伸至下环形槽的外部并与下爬电环的内壁固定连接，以便将下挡板活动安置于下爬电环的内部。
6、优选的，所述橡胶防护垫环位置处的上挡板与下挡板内部皆设有两组凸型紧固槽，所述凸型紧固槽的一端延伸至上导线槽与下导线槽的内部，以便对凸型紧固块进行安置处理。
7、优选的，所述橡胶防护垫环两侧的外壁上皆设有凸型紧固块，所述凸型紧固块的一端延伸至凸型紧固槽的内部，以便将橡胶防护垫环稳固设置于上导线槽与下导线槽内部的边缘位置处。
8、与现有技术相比，本技术的有益效果是：该管状陶瓷电容芯片不仅降低了空气击穿放电的现象发生，进而提高了陶瓷电容芯片使用时的耐高压性能，还降低了外界灰尘流入至内电极的内部对其内壁造成侵蚀的现象，而且避免了导线外壁直接接触于上挡板与下挡板，进而降低了导线外壁产生磨损的现象；
9、(1)通过位于陶瓷基体的两端分别设置上爬电环与下爬电环，使得外电极与内电极两端边缘位置处的空间距离得到提升，以降低空气击穿放电的现象发生，从而提高了陶瓷电容芯片使用时的耐高压性能；
10、(2)通过将上凸块与下凸块活动设置于上环形槽与下环形槽的内侧，使得上挡板与下挡板滑动安置于上爬电环与下爬电环的内部，即可经上挡板与下挡板对上爬电环与下爬电环一端的开口进行阻挡处理，从而降低了外界灰尘流入至内电极的内部对其内壁造成侵蚀的现象；
11、(3)通过凸型紧固槽内部的凸型紧固块，将橡胶防护垫环稳固设置于上导线槽与下导线槽内侧的边缘位置处，当导线贯穿上导线槽与下导线槽时，橡胶防护垫环则会对导线的外壁进行柔性防滑，以避免导线外壁直接接触于上挡板与下挡板，从而降低了导线外壁产生磨损的现象。
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1.一种管状陶瓷电容芯片，其特征在于，包括陶瓷基体(1)，所述陶瓷基体(1)的外壁上设有外电极(2)，所述外电极(2)的内径与陶瓷基体(1)的外径相等，所述陶瓷基体(1)的内壁上设有内电极(3)，所述内电极(3)的外径与陶瓷基体(1)的内径相等，所述内电极(3)的厚度与外电极(2)的厚度相等，所述陶瓷基体(1)的顶端设有上爬电环(4)，所述陶瓷基体(1)的底端设有下爬电环(13)，所述下爬电环(13)与上爬电环(4)关于陶瓷基体(1)的中心线对称，所述上爬电环(4)内部的顶端设有上挡板(6)，所述上挡板(6)内部的中心位置处设有上导线槽(7)，所述上导线槽(7)的两端皆延伸至上挡板(6)的外部，所述下爬电环(13)内部的底端设有下挡板(11)，所述下挡板(11)内部的中心位置处设有下导线槽(10)，所述下导线槽(10)的两端皆延伸至下挡板(11)的外部。
2.根据权利要求1所述的一种管状陶瓷电容芯片，其特征在于：所述上挡板(6)的外壁上设有上环形槽(8)，所述上环形槽(8)内部的两侧皆滑动连接有上凸块(5)，所述上凸块(5)的一端延伸至上环形槽(8)的外部并与上爬电环
3.根据权利要求1所述的一种管状陶瓷电容芯片，其特征在于：所述上导线槽(7)与下导线槽(10)内部的边缘位置处皆安装有橡胶防护垫环(16)，所述橡胶防护垫环(16)的两端皆延伸至上导线槽(7)与下导线槽(10)的外部。
4.根据权利要求1所述的一种管状陶瓷电容芯片，其特征在于：所述下挡板(11)的外壁上设有下环形槽(9)，所述下环形槽(9)内部的两侧皆滑动连接有下凸块(12)，所述下凸块(12)的一端延伸至下环形槽(9)的外部并与下爬电环(13)的内壁固定连接。
5.根据权利要求3所述的一种管状陶瓷电容芯片，其特征在于：所述橡胶防护垫环(16)位置处的上挡板(6)与下挡板(11)内部皆设有两组凸型紧固槽(15)，所述凸型紧固槽(15)的一端延伸至上导线槽(7)与下导线槽(10)的内部。
6.根据权利要求5所述的一种管状陶瓷电容芯片，其特征在于：所述橡胶防护垫环(16)两侧的外壁上皆设有凸型紧固块(14)，所述凸型紧固块(14)的一端延伸至凸型紧固槽(15)的内部。
...【技术特征摘要】
1.一种管状陶瓷电容芯片，其特征在于，包括陶瓷基体(1)，所述陶瓷基体(1)的外壁上设有外电极(2)，所述外电极(2)的内径与陶瓷基体(1)的外径相等，所述陶瓷基体(1)的内壁上设有内电极(3)，所述内电极(3)的外径与陶瓷基体(1)的内径相等，所述内电极(3)的厚度与外电极(2)的厚度相等，所述陶瓷基体(1)的顶端设有上爬电环(4)，所述陶瓷基体(1)的底端设有下爬电环(13)，所述下爬电环(13)与上爬电环(4)关于陶瓷基体(1)的中心线对称，所述上爬电环(4)内部的顶端设有上挡板(6)，所述上挡板(6)内部的中心位置处设有上导线槽(7)，所述上导线槽(7)的两端皆延伸至上挡板(6)的外部，所述下爬电环(13)内部的底端设有下挡板(11)，所述下挡板(11)内部的中心位置处设有下导线槽(10)，所述下导线槽(10)的两端皆延伸至下挡板(11)的外部。
2.根据权利要求1所述的一种管状陶瓷电容芯片，其特征在于：所述上挡板(6)的外壁上设有上环形槽(8)，所述上环形槽(8)内部的两侧皆滑动连接有上凸块(5)，所述上凸块(5)的一端延伸至上环形槽(...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐秋平，
申请(专利权)人：广东东邦电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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