【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及包括分流电阻器(shunt resistor)的装置。
技术介绍
分流电阻器用于-例如-在功率半导体模块中精确确定电流。常规 的分流电阻器应用范围很广，通过焊接例如与电路载体电连接。物理上， 要求两种特性不能相容。第一特性是电阻值相当大，以便能够准确测量 电流。第二特性是热阻小，以避免因耗散功率而过热。由于两个特性不 能良好结合，因此分流电阻器通常温度^f艮高，结果，可能出现焊锡功能 下降以及分流电阻器分层现象。这就是为什么分流电阻器一般规定在-例如250°C的某最高温度的原因之一。
技术实现思路
本专利技术涉及包括分流电阻器的装置，该分流电阻器至少具有导电的 第一接线管脚、导电的第二接线管脚和电阻区。电阻区电连接到笫一接 线管脚和第二接线管脚。装置还包括具有第一金属化部分和第二金属化 部分的电路载体。第一接线管脚连接到第一金属化部分，第二接线管脚 连接到笫二金属化部分。依据本专利技术的第一方面，创建了从电阻区到电 路载体的冷却通路。该冷却通路可以通过电路栽体和电阻区之间布置的 导热填料来实现。同样，该冷却通路也可以通过在电阻区和电路载体之 间的直接...
【技术保护点】
一种装置，包括： 分流电阻器，至少包括导电的第一接线管脚、导电的第二接线管脚和电连接到所述第一接线管脚和所述第二接线管脚的电阻区； 电路载体，包括第一金属化部分和第二金属化部分；其中， 所述第一接线管脚连接到所述第一金属化 部分，所述第二接线管脚连接到所述第二金属化部分；以及 其中，所述电阻区直接与所述电路载体接触和／或其中导热填料布置在所述电阻区和所述电路载体之间。
【技术特征摘要】
US 2008-1-8 11/9706611. 一种装置，包括分流电阻器，至少包括导电的第一接线管脚、导电的第二接线管脚和电连接到所述第一接线管脚和所述第二接线管脚的电阻区；电路载体，包括第一金属化部分和第二金属化部分；其中，所述第一接线管脚连接到所述第一金属化部分，所述第二接线管脚连接到所述第二金属化部分；以及其中，所述电阻区直接与所述电路载体接触和/或其中导热填料布置在所述电阻区和所述电路载体之间。2. 根据权利要求1所述的装置，其中，布置在所述电路载体和所述 电阻区之间的导热填料与所述电路载体接触。3. 根据权利要求1所述的装置，其中，布置在所述电路载体和所述 电阻区之间的导热填料与所述电阻区接触。4. 根据权利要求1所述的装置，其中，布置在所述电路载体和所述 电阻区之间的导热填料具有大于1 W.K .m的热导率。5. 根据权利要求1所述的装置，其中，布置在所述电路栽体和所述 电阻区之间的导热填料由陶资材料构成或包括重量至少为50 %的陶瓷 材料。6. 根据权利要求1所述的装置，其中，通过所述第一接线管脚和所 述第二接线管脚中的至少一个的弹簧张力的作用，使所述电阻区压抵到 电路栽体。7. 根据权利要求1所述的装置，其中，所述电路载体包括由陶瓷材 料制成的衬底。8. 根椐权利要求1所述的装置，其中，所述电路栽体包括绝缘金属 衬底(IMS)。9. 根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一接线管脚直接连接 到所述第 一金属化部分和/或其中所述第二接线管脚直接连接到所述第 二金属化部分。10. —种装置，包括分流电阻器，至少包括导电的第一接线管脚、导电的第二接线管脚 和电连接到所述第一接线管脚和所述第二接线管脚的电阻区； 电路载体，包括第一金属化部分和第二金属化部分；其中，所述笫一接线管脚直接连接到所述第一金属化部分，所迷笫二接线管脚直接连接到所述第二金属化部分；布置在所述第 一接线管脚和所述电阻区之间的第一接合区。11. 根据权利要求IO所述的装置，包括被接合到所述电路载体的第 三金属化部分和所述第 一接合区的第 一接合线。12. 根据权利要求IO所述的装置，其中，所述第一接合区由所述第 一接线管脚的平表面部分形成。13. 根据权利要求12所述的装置，其中，所述第一接线管脚的平表 面部分与所述电路栽体平行。14. 根据权利要求12所述的装置，其中，所述第一接线管脚的所述 平表面部分包括从O.lmmxO.lmm到0.8mmx2.0mm变化的面积。15. 根据权利要求11所述的装置，包括布置在所述第二接线管脚和 所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：M舒尔茨，P坎沙特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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