【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种磨削晶圆的背面的磨削装置。
技术介绍
1、在半导体制造领域中，为了将硅晶圆等的半导体晶圆(以下称为“晶圆”)形成为薄膜，进行磨削晶圆背面的背面磨削。在进行这样的背面磨削的磨削装置中，也已知有在磨削加工时使用接触式的厚度测定机构来测定晶圆厚度的磨削装置(例如，参照专利文献1)。
2、在专利文献1中公开了在粗磨削或精磨削时，通过接触式的厚度测定机构来测定晶圆的厚度的磨削装置。厚度测定机构中测定晶圆厚度的测定位置设置在围绕晶圆的中心而直径不同的多个同心圆上。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：jp特开2016－16457号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、但是，在这样的磨削装置中，由于一边进行粗磨削或精磨削一边实施晶圆的厚度测定，所以例如在测定晶圆中心厚度的场合，具有必须使磨削砂轮向上方退避，处理时间也增加，晶圆磨削加工的作业效率降低的问题。
3、另外，在晶圆的磨削加工中，不仅...
【技术保护点】
1.一种磨削装置，该磨削装置包括：
2.根据权利要求1所述的磨削装置，其特征在于上述判定机构对判定为形状为正确的多个上述晶圆的厚度分布进行比较，判定在各厚度分布中共同的部位是否存在异常的形状，上述控制部在上述判定机构判定为在各厚度分布中的共同的部位存在异常的形状的场合，停止上述晶圆的磨削。
3.根据权利要求1所述的磨削装置，其特征在于上述形状测定机构的上述晶圆的测定位置位于从上述磨削位置运动到上述非磨削位置的晶圆中心的假想线上。
4.根据权利要求3所述的磨削装置，其特征在于上述台输送机构以使上述晶圆中心假想线成为直线的方式使上述旋转
【技术特征摘要】
1.一种磨削装置，该磨削装置包括：
2.根据权利要求1所述的磨削装置，其特征在于上述判定机构对判定为形状为正确的多个上述晶圆的厚度分布进行比较，判定在各厚度分布中共同的部位是否存在异常的形状，上述控制部在上述判定机构判定为在各厚度分布中的共同的部位存在异常的形状的场合，停止上述晶圆的磨削。
3.根据权利要求1所述的磨削装置，其特征在于上述形状测定机构的上述晶圆的测定位置位于从上述磨削位置运动到上述非磨削位置的晶圆中心的假想线上。
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