晶片剥离清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶片剥离清洗装置，能够降低崩边等不良的产生频度、提高处理能力、或者提高单片化后的晶片的品质。该晶片剥离清洗装置将从晶锭切出而形成为批量状态的晶片逐片地从切片基座剥离而单片化，对剥离后的上述晶片进行单片清洗，其中，该晶片剥离清洗装置具备：剥离单元，包含对上述晶片进行保持并将上述晶片从上述切片基座剥离的臂；以及负荷检测部，对上述臂的负荷进行检测，上述负荷检测部至少对上述晶片的从上述切片基座剥离时的上述负荷进行检测。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及晶片剥离清洗装置，尤其涉及将利用线锯同时切断为多个（多片）而形成为批量状态（成束的状态）的晶片从切片基座剥离而单片化并进行清洗的晶片剥离清洗装置。

技术介绍

1、当利用线锯将晶锭切断时，晶片在粘接于切片基座的状态下被切出。因此，晶片从切片基座剥离而单片化。作为进行该处理的装置，已知有专利文献1所公开的晶片剥离清洗装置等。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020-120094号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的问题

2、专利文献1中记载的晶片剥离清洗装置具有优异的性能，是独创的。但是，单片化后的晶片所要求的品质以及装置所要求的处理能力等不断提高。鉴于现下的要求，以往的晶片剥离清洗装置在崩边等不良的产生频度、处理能力、或单片化后的晶片的品质方面，不断产生改善的余地。

3、本说明书所公开的晶片剥离清洗装置能够降低崩边等不良的产生频度、提高处理能力、或者提高单片化后的晶片的品质。

4、用于解决问题的手段

5、本说明书所公开的第一晶片剥离清洗装置是如下晶片剥离清洗装置：将从晶锭切出而形成为批量状态的晶片逐片地从切片基座剥离而单片化，对剥离后的上述晶片进行单片清洗，其中，该晶片剥离清洗装置具备：剥离单元，包含对上述晶片进行保持并将上述晶片从上述切片基座剥离的臂；以及负荷检测部，对上述臂的负荷进行检测，上述负荷检测部至少对上述晶片从上述切片基座剥离时的上述负荷进行检测。

6、专利技术效果

7、本说明书所公开的晶片剥离清洗装置能够降低崩边等不良的产生频度、提高处理能力、或者提高单片化后的晶片的品质。

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【技术保护点】

1.一种晶片剥离清洗装置，将从晶锭切出而形成为批量状态的晶片逐片地从切片基座剥离而单片化，对剥离后的所述晶片进行单片清洗，其中，

2.根据权利要求1所述的晶片剥离清洗装置，其中，

3.根据权利要求2所述的晶片剥离清洗装置，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片剥离清洗装置，其中，

5.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片剥离清洗装置，其中，

6.根据权利要求2或3所述的晶片剥离清洗装置，其中，基于通过所述狭缝时的所述负荷的大小来生成第二警报信息。

【技术特征摘要】

1.一种晶片剥离清洗装置，将从晶锭切出而形成为批量状态的晶片逐片地从切片基座剥离而单片化，对剥离后的所述晶片进行单片清洗，其中，

2.根据权利要求1所述的晶片剥离清洗装置，其中，

3.根据权利要求2所述的晶片剥离清洗装置，其中，

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【专利技术属性】
技术研发人员：宫成代三，
申请(专利权)人：株式会社东京精密，
类型：发明
国别省市：