【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、随着太阳电池光伏行业的发展，钝化发射极和背面接触(topcon)晶体硅太阳电池越来越受到市场的欢迎，尤其选择性发射极晶体硅topcon太阳电池(se-topcon)，电池正面在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。
2、topcon电池的制备方法主要为先将硅片双面制绒，在硅片正面制备pn结，接着对硅片背面进行碱抛得到背抛光面，然后利用在背抛光面制备隧穿氧化层、掺杂非晶硅层，经退火处理掺杂非晶硅层转变为掺杂多晶硅层，隧穿氧化层和掺杂多晶硅层形成背接触钝化结构，最后在电池正面和/或背面制备减反射层以及丝网印刷正面电极、背面电极再烧结形成欧姆接触。
3、其中，背抛工序可以采用碱液进行碱抛光，碱与硅片背面反应抛光，硅片正面由于氧化层的保护而不被反应，硅片背面的制绒绒面与碱反应，形成平整度较高的背抛面，同时还需提供绝对无污染的平面机体，为制备优质的隧穿氧化层和po l y提供必要条件，因此，碱抛以后的清洗工艺至关重要。
4、目前，常见的背抛工序包括采用naoh/koh和抛光添加剂进行背抛；采用naoh/koh和h2o2混合溶液进行清洗，h2o2分解抛光添加剂残留的有机物，形成的产物与碱产生溶于水的络合物，达到清洗的目的；再采用hcl溶液进行清洗，中和前道处理的碱残留；中和清洗之后进行一次纯水清洗，然后对硅片进行慢提拉清洗预脱水；最后对硅片进行烘干。但是，采用该清洗方法得到的硅片表面存在较多的黑斑，对
技术实现思路
1、基于此，提供一种太阳能电池及其制备方法，解决现有技术中太阳能电池制备过程中，容易在硅片表面残留盐造成硅片局部污染，后期硅片表面形成el黑点或黑斑，对硅片结构造成破坏，影响产线的良品率的问题。
2、一方面，提供一种太阳能电池制备方法，包括以下步骤：
3、硅片双面制绒；
4、硅片正面制备pn结；
5、硅片背面碱抛；
6、碱抛清洗，所述碱抛清洗包括氧化清洗、中和清洗、慢提拉和烘干；
7、隧穿氧化层沉积；
8、所述碱抛清洗还包括：
9、一次流动水冲洗，所述中和清洗步骤后进行所述一次流动水冲洗，所述流动水为纯水；
10、循环水漂洗，所述慢提拉清洗前先进行循环水漂洗，所述循环水为纯水。
11、在其中一个实施例中，所述碱抛清洗还包括二次流动水冲洗；
12、优选的，所述二次流动水冲洗在所述循环水漂洗后进行。
13、在其中一个实施例中，所述一次流动水冲洗和/或所述二次流动水冲洗的流动水流量为650-1000l/h；
14、优选的，所述一次流动水冲洗和/或所述二次流动水冲洗的流动水纯度为18.2-18.5mω*cm。
15、在其中一个实施例中，所述循环水漂洗步骤中，所述循环水的温度为25-45℃；
16、优选的，所述循环水漂洗步骤中，所述循环水的水泵功率为65-85％，每槽循环水6-10l排液，每槽定时排液补液保证水的电阻率。
17、在其中一个实施例中，所述氧化清洗通过碱液和氧化剂混合溶液清洗去除硅片上碱抛步骤引入的残留添加剂；所述中和清洗通过酸溶液中和氧化清洗步骤引入的碱液；
18、优选的，所述中和清洗的酸液为盐酸；
19、优选的，所述氧化清洗的碱液为氢氧化钠，所述氧化清洗的氧化剂为双氧水。
20、在其中一个实施例中，所述氧化清洗之前先进行流动纯水冲洗，去除碱抛引入的碱性溶液。
21、在其中一个实施例中，所述慢提拉采用冷水慢提拉，常温15-25s；
22、优选的，所述烘干的温度为90℃±10℃，时间为600-800s。
23、另一方面，提供了一种碱抛清洗工艺，包括氧化清洗、中和清洗、慢提拉清洗和烘干，还包括以下步骤：
24、一次流动水冲洗，所述中和清洗步骤后进行所述一次流动水冲洗，所述流动水为纯水；
25、循环水漂洗，所述慢提拉清洗前先进行循环水漂洗，所述循环水为纯水。
26、在其中一个实施例中，所述碱抛清洗还包括二次流动水冲洗；
27、优选的，所述二次流动水冲洗在所述循环水漂洗后进行；
28、优选的，所述一次流动水冲洗和/或所述二次流动水冲洗的流动水流量为650-1000l/h；
29、优选的，所述一次流动水冲洗和/或所述二次流动水冲洗的流动水纯度为18.2-18.5mω*cm；
30、优选的，所述循环水漂洗步骤中，所述循环水的温度为25-45℃；
31、优选的，所述循环水漂洗步骤中，所述循环水的水泵功率为65-85％，每槽循环水6-10l排液，每槽定时排液补液保证水的电阻率；
32、所述氧化清洗通过碱液和氧化剂混合溶液清洗去除硅片上碱抛步骤引入的残留添加剂；所述中和清洗通过酸溶液中和氧化清洗步骤引入的碱液；
33、优选的，所述中和清洗的酸液为盐酸；
34、优选的，所述氧化清洗的碱液为氢氧化钠，所述氧化清洗的氧化剂为双氧水；
35、优选的，所述氧化清洗之前先进行流动纯水冲洗，去除碱抛引入的碱性溶液；
36、优选的，所述慢提拉采用冷水慢提拉，常温15-25s；所述烘干的温度为90℃±10℃，时间为600-800s。
37、另一方面，提供了一种太阳能电池，由上述任意一项所述的制备方法制得。
38、上述太阳能电池制备方法，在碱抛清洗工艺中，增加处理硅片表面残留化学试剂的流动纯水冲洗和循环热水冲洗工序，并通过优化清洗流程顺序，有效的降低化学试剂残留，尤其是降低氯化钠盐的残留，提高硅片背面钝化效果，提高良品率，同时尽可能的缩短清洗时间，减少纯水用量，提高产线效率。
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1.一种太阳能电池片的制备方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碱抛清洗还包括二次流动水冲洗；
3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述一次流动水冲洗和/或所述二次流动水冲洗的流动水流量为650-1000L/h；
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述循环水漂洗步骤中，所述循环水的温度为25-45℃；
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化清洗通过碱液和氧化剂混合溶液清洗去除硅片上碱抛步骤引入的残留添加剂；所述中和清洗通过酸溶液中和氧化清洗步骤引入的碱液；
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化清洗之前先进行流动纯水冲洗，去除碱抛引入的碱性溶液。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述慢提拉采用冷水慢提拉，常温15-25s将硅片从纯水中提拉出来；
8.一种碱抛清洗工艺，包括氧化清洗、中和清洗、慢提拉和烘干，其特征在于，还包括以下步骤：
9.如权利要求8所述的碱抛清洗工艺，其特征在于，所述碱抛清洗
10.一种太阳能电池，其特征在于，由权利要求1-7任意一项所述的制备方法制得。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片的制备方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碱抛清洗还包括二次流动水冲洗；
3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述一次流动水冲洗和/或所述二次流动水冲洗的流动水流量为650-1000l/h；
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述循环水漂洗步骤中，所述循环水的温度为25-45℃；
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化清洗通过碱液和氧化剂混合溶液清洗去除硅片上碱抛步骤引入的残留添加剂；所述中和清洗通过酸溶液中和氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨少冲，孙晓凯，陈同飞，张冰，刘苗，
申请(专利权)人：晶澳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：
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