一种太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术属于太阳能电池领域，涉及一种太阳能电池制备方法，包括以下步骤：硅片双面制绒；硅片正面制备PN结；硅片背面碱抛；碱抛清洗，所述碱抛清洗包括氧化清洗、中和清洗、慢提拉和烘干；隧穿氧化层沉积；所述碱抛清洗还包括：一次流动水冲洗，所述中和清洗步骤后进行所述一次流动水冲洗，所述流动水为纯水；循环水漂洗，所述慢提拉前先进行循环水漂洗，所述循环水为纯水。在碱抛清洗工艺中，增加处理硅片表面残留化剂的流动纯水冲洗和循环热水冲洗工序，并通过优化清洗流程顺序，有效降低氯化钠残留，提高硅片良品率，同时尽可能的缩短清洗时间，减少纯水用量，提高产线效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

1、随着太阳电池光伏行业的发展，钝化发射极和背面接触(topcon)晶体硅太阳电池越来越受到市场的欢迎，尤其选择性发射极晶体硅topcon太阳电池(se-topcon)，电池正面在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。

2、topcon电池的制备方法主要为先将硅片双面制绒，在硅片正面制备pn结，接着对硅片背面进行碱抛得到背抛光面，然后利用在背抛光面制备隧穿氧化层、掺杂非晶硅层，经退火处理掺杂非晶硅层转变为掺杂多晶硅层，隧穿氧化层和掺杂多晶硅层形成背接触钝化结构，最后在电池正面和/或背面制备减反射层以及丝网印刷正面电极、背面电极再烧结形成欧姆接触。

3、其中，背抛工序可以采用碱液进行碱抛光，碱与硅片背面反应抛光，硅片正面由于氧化层的保护而不被反应，硅片背面的制绒绒面与碱反应，形成平整度较高的背抛面，同时还需提供绝对无污染的平面机体，为制备优质的隧穿氧化层和po l y提供必要条件，因此，碱抛以后的清洗工艺至关重要。

4、目本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池片的制备方法，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碱抛清洗还包括二次流动水冲洗；

3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述一次流动水冲洗和/或所述二次流动水冲洗的流动水流量为650-1000L/h；

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述循环水漂洗步骤中，所述循环水的温度为25-45℃；

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化清洗通过碱液和氧化剂混合溶液清洗去除硅片上碱抛步骤引入的残留添加剂；所述中和清洗通过酸溶液中和氧化清洗步骤引入的碱液；

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【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池片的制备方法，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碱抛清洗还包括二次流动水冲洗；

3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述一次流动水冲洗和/或所述二次流动水冲洗的流动水流量为650-1000l/h；

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述循环水漂洗步骤中，所述循环水的温度为25-45℃；

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化清洗通过碱液和氧化剂混合溶液清洗去除硅片上碱抛步骤引入的残留添加剂；所述中和清洗通过酸溶液中和氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨少冲，孙晓凯，陈同飞，张冰，刘苗，
申请(专利权)人：晶澳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：