【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led光源的,特别涉及一种高功率led光源以及用于该高功率led光源晶片的高精度封装工艺。
技术介绍
1、正常led光源出光只需计算晶片的出光密度,因为晶片与晶片之间的相对离都很远,产品只要热通道设计合理,散热基本没有问题。当产品功率很高并且出光面很小,晶片与晶片间的相对距离只有几十微米时,底部热通道完全不能散热要求,所以目前led照明行业所使用的大功率光源相对面积都很大,并且晶片与晶片之间的相对距离都达到了毫米级,因而对晶片的安装精度要求较高。
2、目前晶片的安装方式包括(1)胶水固定,也就是说将晶片通过胶水粘接至基板,然后转运至烤箱进行烘烤处理;(2)共晶固定,首先在晶片底部电镀锡金层,然后其晶片预固定至基板上,最后将基板同晶片放置在电机热板上进行加热共晶处理。在第一种安装方式中,如图7所示,胶水的粘性与时间的关系,因而胶水在固化过程中,晶片会发生一定偏移,另外,在将基板与晶片搬运至烤箱的过程中,晶片的相对位置也会发生偏移,晶片的固定位置与预设位置发生安装误差,前面的晶片安装误差不断累积会大大影响剩余后面晶
...【技术保护点】
1.一种高功率LED光源,包括基板(10)、设置于基板(10)上的围坝(20)、密封固定于围坝(20)上端的荧光片(30)以及固定安装于基板(10)上的多个晶片(40),所述基板(10)、围坝(20)和荧光片(30)之间形成有腔室(50),其特征在于:所述基板(10)设有第一通孔(11)和第二通孔(12),第一通孔(11)和第二通孔(12)设置在基板(10)对应腔室(50)的两侧,第一通孔(11)和第二通孔(12)的上端连通腔室(50),第一通孔(11)和第二通孔(12)的下端贯通基板(10)底部,通过第一通孔(11)向腔室(50)内注入硅胶(60)并将硅胶(60)填
...【技术特征摘要】
1.一种高功率led光源,包括基板(10)、设置于基板(10)上的围坝(20)、密封固定于围坝(20)上端的荧光片(30)以及固定安装于基板(10)上的多个晶片(40),所述基板(10)、围坝(20)和荧光片(30)之间形成有腔室(50),其特征在于:所述基板(10)设有第一通孔(11)和第二通孔(12),第一通孔(11)和第二通孔(12)设置在基板(10)对应腔室(50)的两侧,第一通孔(11)和第二通孔(12)的上端连通腔室(50),第一通孔(11)和第二通孔(12)的下端贯通基板(10)底部,通过第一通孔(11)向腔室(50)内注入硅胶(60)并将硅胶(60)填充满整个腔室(50),所述腔室(50)内的空气通过第二通孔(12)排出至外部。
2.根据权利要求1所述的一种高功率led光源,其特征在于:所述基板(10)对应腔室(50)的一侧固定有多个晶片(40),相邻晶片(40)之间留有间隙,所述间隙通过硅胶(60)填充,以使所述晶片(40)被硅胶(60)包覆。
3.根据权利要求2所述的一种高功率led光源,其特征在于:所述基板(10)为矩形结构,所述第一通孔(11)和第二通孔(12)成对角线设置,...
【专利技术属性】
技术研发人员:张耀华,杜元宝,汤焕,王国君,林胜,张日光,
申请(专利权)人:宁波升谱光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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