传输系统、传输腔系统及其控制方法技术方案

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，提供一种传输系统、传输腔系统及其控制方法以提升衬底的成膜质量。该传输腔系统包括：传输腔室、冷却单元、升降单元和机械手；所述传输腔室包括底壁、与所述底壁相对的顶壁以及延伸在所述底壁和所述顶壁之间的侧壁；所述侧壁被配置为连通所述工艺腔室或连通所述装载腔室；所述冷却单元、所述升降单元和所述机械手均设于所述传输腔室的内部；所述冷却单元被支撑于所述传输腔室，所述冷却单元被配置为冷却所述衬底，所述升降单元被配置为将所述衬底放置于所述冷却单元或将位于所述冷却单元的所述衬底抬升；所述机械手被配置为在所述装载腔室、所述升降单元以及所述工艺腔室之间转移所述衬底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种传输腔系统、传输系统及传输腔系统的控制方法。

技术介绍

1、为提高衬底处理速度，常采用集成有前端传输模块、装载腔室(load lock，ll)、传输腔室(wafer handling chamber，whc)和处理室(processing chamber)的传输系统。

2、衬底(substrate)通过所述前端传输模块被传送至所述装载腔室，而后被传输至所述传输腔室；随后，位于所述传输腔室中的机械手将所述衬底传输至所述处理室，进行外延或其他处理；处理完毕后，位于所述传输腔室中的机械手将衬底传输至所述装载腔室，继而被传输至所述前端传输模块。

3、专利技术人注意到：在衬底处理过程中(如在外延反应中)，所述处理室内以及所述衬底的温度都比较高(如在外延反应中，衬底的表面温度接近700℃)。当处理后的衬底从所述处理室转移至所述传输室以及所述装载室时，所述衬底表面的温度仍非常高，衬底周围空气中的水分极易与衬底上的薄膜发生反应，导致衬底表面的薄膜质量降低。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种传输腔系统，用于将衬底在装载腔室和工艺腔室之间进行转移，其特征在于，包括：传输腔室、冷却单元和机械手；

2.根据权利要求1所述的传输腔系统，其特征在于，所述传输腔室内设有避让空间，

3.根据权利要求2所述的传输腔系统，其特征在于，所述最短距离D位于所述机械手的旋转中心和所述冷却单元的中心之间。

4.根据权利要求2所述的传输腔系统，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的传输腔系统，其特征在于，所述最短距离D为8-12mm。

6.根据权利要求4所述的传输腔系统，其特征在于，所述冷却单元安装于所述抬升壁部的上表面。

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【技术特征摘要】

1.一种传输腔系统，用于将衬底在装载腔室和工艺腔室之间进行转移，其特征在于，包括：传输腔室、冷却单元和机械手；

2.根据权利要求1所述的传输腔系统，其特征在于，所述传输腔室内设有避让空间，

3.根据权利要求2所述的传输腔系统，其特征在于，所述最短距离d位于所述机械手的旋转中心和所述冷却单元的中心之间。

4.根据权利要求2所述的传输腔系统，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的传输腔系统，其特征在于，所述最短距离d为8-12mm。

6.根据权利要求4所述的传输腔系统，其特征在于，所述冷却单元安装于所述抬升壁部的上表面。

7.根据权利要求2所述的传输腔系统，其特征在于，所述机械手向所述装载腔室伸长时，所述机械手伸出部分的下表面与所述冷却单元的顶端面间距为8-12mm。

8.根据权利要求6所述的传输腔系统，其特征在于，所述冷却单元包括冷却台，所述冷却...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚丽英，林兴，罗际蔚，
申请(专利权)人：研微江苏半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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