储能元件的封装结构制造技术

本发明专利技术是一种储能元件封装结构，包括储能元件、第一金属基板、第二金属基板、第一接合元件、第二接合元件、以及绝缘结构。储能元件具有至少一正极接点及至少一负极接点，第一金属基板的一端是作为外部正极端，第二金属基板的一端是作为外部负极端，第一接合元件是用以接合至少一正极接点与第一金属基板，第二接合元件是用以接合至少一负极接点与第二金属基板。除露出外部正极端及外部负极端之外，绝缘结构包覆在储能元件、第一金属基板、第二金属基板、第一接合元件、以及第二接合元件的外面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种封装结构，特别是有关一种储能元件的封装结构。
技术介绍
电能的储存部件在我们的生活的中占了重要的一部分，例如用于电路中的电容以 及用于可携式装置的电池之类的元件，电能储存部件影响了电子装置的执行效能以及作业 时间，而性能和可靠性是每个设计所要求的。 在过去，备份电源的解决方案就是电池，主要是铅酸电池。而现在有更多的选择来 满足备份电源的需求，包括锂离子、镍氢电池等先进的电池技术、燃料电池、太阳能电池以 及双层电容等。 锂离子、镍氢电池和其它电池技术在提供可靠的能量储存解决方案上已取得很大 进步。它们已在许多设计中得到应用，并解决了以往的许多成本问题，但仍面临着与使用铅 酸电池时一样的问题，即所有这些技术都是基于化学反应，它们的使用寿命有限并受温度 的限制，而且对大电流的需求也会直接影响它们的使用寿命。因此，这些电池技术在持久性 和可靠应用方面还面临着一些挑战。 超级电容，或者称为电化学双层电容(EDLC)，与电解电容相比，具有非常高的功率 密度和实质的能量密度。在过去几年，这些元件已应用在消费电子、工业和汽车等许多领 域。如今，已有超级电容是功率密度高达20kW/kg的超高功率元件，超级电容的尺寸非常紧 凑(小的超级电容通常只有邮票大小或者更小)，但它们可储存的能量比传统电容要高得 多，大多数超级电容的容量用法拉(F)标定，通常在1F到5，000F之间，而且放电速度可以 很快也可以很慢。它们的使用寿命非常长，可被设计成用于终端产品的整个生命周期。 未来如超级电容及磁电容这类的高效能储能元件会更为广泛地应用在许多领域 上，因此，提出一种储能元件的封装结构是有其实际需求。
技术实现思路
因此本专利技术的目的在于提供一种储能元件的封装结构。 依据本专利技术一方面的储能元件的封装结构包括储能元件、基板、第一接合元件、第 二接合元件、以及绝缘结构。基板上具有第一导线及第二导线，储能元件具有至少一正极接 点及至少一负极接点，第一接合元件是用以接合至少一正极接点与第一导线，第二接合元 件是用以接合至少一负极接点与第二导线。绝缘结构包覆在储能元件、基板、第一接合元 件、以及第二接合元件的外面。 依据本专利技术另一方面的储能元件的封装结构包括储能元件、第一金属基板、第二 金属基板、第一接合元件、第二接合元件、以及绝缘结构。储能元件具有至少一正极接点及 至少一负极接点，第一金属基板的一端是作为外部正极端，第二金属基板的一端是作为外 部负极端，第一接合元件是用以接合至少一正极接点与第一金属基板，第二接合元件是用 以接合至少一负极接点与第二金属基板。绝缘结构包覆在储能元件、第一金属基板、第二金属基板、第一接合元件、以及第二接合元件的外面。 附图说明 为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点能更明显易懂，以下将配合附图对本发 明的较佳实施例进行详细说明，其中 图1是绘示依照本专利技术第一个实施例的一种储能元件封装结构的侧视图。 图2是绘示依照本专利技术第二个实施例的一种储能元件封装结构的侧视图。具体实施例方式接下来请参照本专利技术实施例的详细说明，其中所提到的范例会连同附图一同进行 说明。在任何可能的情况下，附图及说明中所使用的相同标号都代表了相同或类似的部件。 下述实施例中的储能元件是一种高效能的、可做到如邮票或者更小尺寸的储能元 件，如超级电容、磁电容、以及微(小)型平面式电池等。再者，下述实施例以储能元件具有 二个正极接点及负极接点为例加以说明，在其它的实施例中，单个储能元件可具有一个或 三个以上的正极接点及负极接点以供各种相关产业作不同的应用。参照图l，其是绘示依 照本专利技术第一个实施例的一种储能元件封装结构的侧视图。此储能元件封装结构包括储能 元件110、基板130、第一接合元件150a及150b、第二接合元件170a及170b、以及绝缘结构 190。 基板130上具有第一导线132及第二导线134，储能元件110具有正极接点111与 112及负极接点113与114。第一接合元件150a及150b是用以接合正极接点lll、112与第 一导线132，第二接合元件170a及170b是用以接合负极接点113、114与第二导线134。除 了露出基板130外侧镀有金属的部分(作为封装结构的外部正极端及外部负极端)之外， 绝缘结构190包覆在基板130、储能元件110、第一接合元件150a及150b、以及第二接合元 件170a及170b的外面将整体密封，绝缘结构190是以环氧树脂、陶瓷、或玻璃等绝缘材质 所形成。 封装结构的外部正极端及外部负极端可视实际的需求而设置于同边、邻边、或对 边上，在此实施例中，外部正极端及外部负极端是设置于封装结构的同一边。基板130上的 第一导线132的宽度大于第一接合元件150a及150b的宽度，第二导线134的宽度大于第二 接合元件170a及170b的宽度。第一接合元件150a及150b及第二接合元件170a及170b 的材质可以是金、铜、铝、银、锡、上述金属的合金、或其它导电材质。第一接合元件150a及 150b及第二接合元件170a及170b可以利用金属凸块、金属接合线、焊锡或其它导电物等不 同态样达成接合及导电的目的。 参照图2，其是绘示依照本专利技术第二个实施例的一种储能元件封装结构的侧视图。 此储能元件封装结构包括储能元件210、第一金属基板231、第二金属基板232、第一接合元 件250a及250b、第二接合元件270a及270b、以及绝缘结构290。 第一金属基板231的一端位于绝缘结构290外作为外部正极端241，第二金属基板 232的一端位于绝缘结构290外作为外部负极端242。储能元件210具有正极接点211与 212及负极接点213与214，第一接合元件250a及250b是用以接合正极接点211及212与 第一金属基板231，第二接合元件270a及270b是用以接合负极接点213及214与第二金属基板232。除了露出外部正极端241及外部负极端242之外，绝缘结构290包覆在储能元 件210、第一金属基板231、第二金属基板232、第一接合元件250a及250b、以及第二接合元 件270a及270b的外面将整体密封，绝缘结构290是以环氧树脂、陶瓷、或玻璃等绝缘材质 所形成。 封装结构的外部正极端241及外部负极端242可视实际的需求而设置于同边、邻 边、或对边上，在此实施例中，外部正极端241及外部负极端242是设置于封装结构的对边 上。第一金属基板231的宽度大于第一接合元件250a及250b的宽度，第二金属基板232 的宽度大于第二接合元件270a及270b的宽度。第一接合元件250a及250b及第二接合元 件270a及270b的材质可以是金、铜、铝、银、锡、上述金属的合金、或其它导电材质。第一接 合元件250a及250b及第二接合元件270a及270b可以利用金属凸块、金属接合线、焊锡或 其它导电物等不同态样达成接合及导电的目的。 而上述实施例中储能元件上不同数目的正极接点的并联连接可通过接合元件连 接至基板上后，在基板上形成并联连接，负极接点亦同。 虽然本专利技术已以较佳实施例揭露如上，然而其并非用以限定本专利技术，任何熟悉此 技术者，在不脱离本专利技术的精神和范围内，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种储能元件的封装结构，其特征在于包含：一储能元件，具有至少一正极接点及至少一负极接点；一基板，其上具有一第一导线及一第二导线；一第一接合元件，用以接合该至少一正极接点与该第一导线；一第二接合元件，用以接合该至少一负极接点与该第二导线；以及一绝缘结构，包覆于该储能元件、该基板、该第一接合元件、以及该第二接合元件外。

【技术特征摘要】
一种储能元件的封装结构，其特征在于包含一储能元件，具有至少一正极接点及至少一负极接点；一基板，其上具有一第一导线及一第二导线；一第一接合元件，用以接合该至少一正极接点与该第一导线；一第二接合元件，用以接合该至少一负极接点与该第二导线；以及一绝缘结构，包覆于该储能元件、该基板、该第一接合元件、以及该第二接合元件外。2. 根据权利要求1所述的储能元件的封装结构，其特征在于该基板的外侧镀有金属以 作为一外部正极端及一外部负极端。3. 根据权利要求1所述的储能元件的封装结构，其特征在于该第一导线的宽度大于该 第一接合元件的宽度，该第二导线的宽度大于该第二接合元件的宽度。4. 一种储能元件的封装结构，其特征在于包含 一储能元件，具有至少一正极接点及至少一负极接点； 一第一金属基板，其一端作为一外部正极端； 一第二金属基板，其一端作为一外部负极端；一第一接合元件，用以接合该至少一正极接点与该第一金属基板； 一第二接合元件，用以接合该至少一负极接点及该第二金属基板；以及 一绝缘结构，除露出该外部正极端及该外部负极端之外，包覆于该储能元件、该第一金 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹前疆，
申请(专利权)人：詹前疆，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]