用于测试储能元件的匹配特性的电路制造技术

一种用于测试储能元件的匹配特性的电路，其包括线性电阻及电源供应装置，且该电路是电性耦接至两个串接的储能元件之间；又其中该两个储能元件若为电容，则藉由测量该电路中输入电压与输出电压的函数图的斜率，便可得到该两个电容的匹配情形。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
用于测试储能元件的匹配特性的电路
本技术是有关于一种用以测试电子元件的匹配情形的电路，且特别是有关于一种测试储能元件的匹配情形的电路。
技术介绍
在混合模式电路设计中，相邻电子元件的匹配相当地重要，以电容为例来说，测量两相邻电容的匹配情形可提供电路设计者作为设计时的参考。但由于现今测量电容值的机台的准确度不足，故无法藉由取得电容的精确的电容值以得知两电容间的匹配情形。参考图1为绘示用以测量电容匹配情形的已知电路10，其包括PMOS晶体管11及电流供应装置13，其中PMOS晶体管11的第一漏/源极端电性耦接于电流供应装置13与输出电压Vout。两待测电容分别为第一待测电容91及第二待测电容93，且该第一待测电容91的第二端电性耦接至第二待测电容93的第一端与PMOS晶体管11的栅极端。设第一待测电容91的第一端为P1且第二待测电容93的第二端为P3，已知的做法是首先将第二待测电容93的P3端接地，并且将第一待测电容91的P1端电性耦接输入电压Vina而得到输出电压Vouta。在此假设第一待测电容91的电容值为C1且第二待测电容93的电容值为C3，则输入电压Vina与输出电压Vouta本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于测试储能元件的匹配的电路，适于测试第一储能元件及第二储能元件的匹配情形，其中该第一储能元件的第二端耦接该第二储能元件的第一端，而该电路包括：　　　　线性电阻，其第一端电性耦接该电路的信号输出端，而其第二端电性耦接该第一储能元件的第二端和该第二储能元件的第一端；以及　　　　电源供应装置，其输出端是电性耦接于该线性电阻的第二端。

【技术特征摘要】
1.一种用于测试储能元件的匹配的电路，适于测试第一储能元件及第二储能元件的匹配情形，其中该第一储能元件的第二端耦接该第二储能元件的第一端，而该电路包括：线性电阻，其第一端电性耦接该电路的信号输出端，而其第二端电性耦接该第一储能元件的第二端和该第二储能元件的第一端；以及电源供应装置，其输出端是电性耦接于该线性电阻的第二端。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：高境鸿，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]