一种用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物制造技术

技术编号:42644683 阅读:38 留言:0更新日期:2024-09-06 01:40
本发明专利技术属于光刻胶技术领域,具体涉及一种用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,以质量份计,包括50‑100份POSS基聚合物、0.1‑5份感光剂、0.1‑10份酸生成剂或碱生成剂、0.001‑5份表面活性剂、0.001‑5份助粘剂和100‑2000份溶剂。本发明专利技术采用多官能团聚硅氧烷经自由基加成反应生成POSS基聚合物,该POSS基聚合物经过与溶剂、感光剂及其他助剂制备正性光刻胶组合物,经旋涂、前烘、曝光、显影和后烘后,形成有机绝缘膜,得到的有机绝缘膜与金属的粘合力、UV透射率、残膜率及图案稳定性优异。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于有机绝缘膜的poss基正性光刻胶组合物,属于光刻胶。


技术介绍

1、薄膜晶体管常用于薄膜晶体管液晶显示器(th i n fi lm trans i stor liquid crysta l d i sp l ay,简称tft-lcd)以改善液晶面板(lcd)影像的品质。为提高液晶显示器的亮度,在增加光源亮度的基础上,还必须提高液晶屏的透光率,其中除了需要提高所用光学部件、材料的透光率外,更要提高tft-lcd的开口率。开口率是指光线能透过的有效区域比例。tft-lcd常采用有机绝缘膜材料,在各布线之上布置像素电极,将像素电极与信号线构成在不同的层中,以提高开口率。

2、有机绝缘膜层对于降低像素电极和布线间寄生电容至关重要,其主体材料由聚(甲基)丙烯酸(酯)类、聚酰亚胺类粘合剂树脂的光刻胶组合物形成。常规的有机绝缘膜材料介电常数较高,而且与金属、玻璃和硅等基材的粘附性差,显影后的残留膜率低,导致图案的平坦性差。


技术实现思路

1、本专利技术针对现有技术的缺陷,提供一种用于有机绝本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,其特征在于,以质量份计,包括50-100份POSS基聚合物、0.1-5份感光剂、0.1-10份酸生成剂或碱生成剂、0.001-5份表面活性剂、0.001-5份助粘剂和100-2000份溶剂。

2.根据权利要求1所述的用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述POSS基聚合物具有以下通式I I所示结构:

3.根据权利要求1或2所述的用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述POSS基聚合物的合成原料包括多官能团聚硅氧烷、(甲基)丙烯酸及其酯类单体、具有乙烯不饱和键的单体。

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【技术特征摘要】

1.一种用于有机绝缘膜的poss基正性光刻胶组合物,其特征在于,以质量份计,包括50-100份poss基聚合物、0.1-5份感光剂、0.1-10份酸生成剂或碱生成剂、0.001-5份表面活性剂、0.001-5份助粘剂和100-2000份溶剂。

2.根据权利要求1所述的用于有机绝缘膜的poss基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述poss基聚合物具有以下通式i i所示结构:

3.根据权利要求1或2所述的用于有机绝缘膜的poss基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述poss基聚合物的合成原料包括多官能团聚硅氧烷、(甲基)丙烯酸及其酯类单体、具有乙烯不饱和键的单体。

4.根据权利要求3所述的用于有机绝缘膜的poss基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述多官能团聚硅氧烷具有以下通式ⅰ所示结构:

5.根据权利要求3所述的用于有机绝缘膜的poss基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述(甲基)丙烯酸及其酯类单体为(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸二甘醇单乙醚酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、三甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、(...

【专利技术属性】
技术研发人员:毕研刚崔淑英徐晶傅天林赵增武豆帆颜俊雄朱洪维
申请(专利权)人:烟台希尔德材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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