【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别是涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。
技术介绍
1、在传统半导体制程的前段器件形成中，通常采用离子注入的方式调节导电结构、例如多晶硅的阻值。具体地，可以采用不同的离子注入能量以及不同的离子注入时间来调节多晶硅的阻值，以此来达到不同的需求。
2、然而，采用离子注入的方式调节多晶硅的阻值时，通过调节离子注入的能量以及离子注入的时间的方法，能够调节的多晶硅阻值范围较小，并且离子注入工艺的成本较高。
技术实现思路
1、基于此，本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，能够增大导电结构的阻值调节范围，并缩短调节时间。
2、根据一些实施例，本申请提供了一种半导体结构的制备方法，方法包括：
3、提供衬底；
4、于衬底上形成初始结构，初始结构至少包括位于衬底上的导电结构；
5、于初始结构的顶面形成保护材料层，初始结构及保护材料层构成中间结构；
6、将中间结构置于刻蚀机台上，刻蚀保护材...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述预设气氛包括惰性气体气氛或大分子气体气氛中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在预设气氛中，移除位于所述刻蚀机台上的所述目标结构，并在移除所述目标结构的过程中调节所述导电结构的阻值，包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述保护材料层以形成保护层，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底上形成
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述预设气氛包括惰性气体气氛或大分子气体气氛中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在预设气氛中，移除位于所述刻蚀机台上的所述目标结构，并在移除所述目标结构的过程中调节所述导电结构的阻值，包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述保护材料层以形成保护层，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底上形成初始结构，包括：
6.根据权利要求5中所述的半导体结构的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄望超，沈显青，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。