具有多指硅控整流器的静电保护电路制造技术

具有多指硅控整流器的静电保护电路。可以自我触发（Ｓｅｌｆ－ｔｒｉｇｇｅｒｅｄ），并将多指（Ｍｕｌｔｉ－ｆｉｎｇｅｒ）的硅控整流器中每一硅控整流器都打开的静电保护电路。该电路包含一第一电源，一第二电源，Ｎ个硅控整流器单元，（Ｎ－１）个二极管，以及Ｎ个电阻。每个硅控整流器单元包含一第一端点，一第二端点，耦接于该第二电源，以及一触发端点。该（Ｎ－１）个二极管中的第ｎ个二极管耦接于一第ｎ个硅控整流器单元的第一端点以及一第（ｎ＋１）个硅控整流器单元的触发端点之间。Ｎ个电阻中的一第ｎ个电阻耦接于该第ｎ个硅控整流器单元的第一端点以及该第一电源之间，其中ｎ和Ｎ都是整数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术公开一种具有多指硅控整流器的静电保护电路，尤其涉及一种能够将多指硅控整流器中每一硅控整流器都打开的静电保护电路。
技术介绍
所谓的静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)，是一种突然且随时会发生的 电流，经由摩擦或感应而产生，接着流过线路，有时会对线路中的电子元件造成损害。有些 电子元件很容易受到静电放电的破坏，例如金属氧化物半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor, MOSFET)。因此集成电路设计中，常加入静电保 护电路，来保护整个电路。
技术实现思路
本专利技术的一实施例公开一种具有多指硅控整流器的静电保护电路，包含一第一电 源，一第二电源，N个硅控整流器单元，(N-l)个二极管，以及N个电阻。每个硅控整流器单 元包含一第一端点，一第二端点，耦接于该第二电源，以及一触发端点。(N-l)个二极管中的 一第n个二极管，耦接于一第n个硅控整流器单元的第一端点以及一第(n+1)个硅控整流 器单元的触发端点之间。N个电阻中的一第n个电阻，耦接于该第n个硅控整流器单元的第 一端本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有多指硅控整流器的静电保护电路，包含：一第一电源；一第二电源；Ｎ个硅控整流器单元，每个硅控整流器单元包含：一第一端点；一第二端点，耦接于该第二电源；以及一触发端点；（Ｎ－１）个二极管，其中一第ｎ个二极管耦接于一第ｎ个硅控整流器单元的第一端点以及一第（ｎ＋１）个硅控整流器单元的触发端点之间；以及Ｎ个电阻，其中一第ｎ个电阻耦接于该第ｎ个硅控整流器单元的第一端点以及该第一电源之间；其中ｎ和Ｎ都是整数。

【技术特征摘要】
一种具有多指硅控整流器的静电保护电路，包含一第一电源；一第二电源；N个硅控整流器单元，每个硅控整流器单元包含一第一端点；一第二端点，耦接于该第二电源；以及一触发端点；(N-1)个二极管，其中一第n个二极管耦接于一第n个硅控整流器单元的第一端点以及一第(n+1)个硅控整流器单元的触发端点之间；以及N个电阻，其中一第n个电阻耦接于该第n个硅控整流器单元的第一端点以及该第一电源之间；其中n和N都是整数。2. 如权利要求1所述的静电保护电路，其中 该第一电源为一输入输出接点； 该第二电源为一接地端；该(N-l)个二极管中的该第n个二极管包含一负端点，耦接于该第n个硅控整流器单 元的第一端点，以及一正端点，耦接于该第(n+1)个硅控整流器单元的触发端点；以及 每个硅控整流器单元包含一 PNP双极性接面晶体管，该PNP双极性接面晶体管包含一射极， 一集极，以及一基极， 该硅控整流器单元的第一端点为该PNP双极性接面晶体管的射极，以及该硅控整流器单元 的触发端点为该PNP双极性接面晶体管的基极；一 NPN双极性接面晶体管，该NPN双极性接面晶体管包含一射极， 一集极，耦接于该PNP 双极性接面晶体管的基极，以及一基极，耦接于该PNP双极性接面晶体管的集极，以及该硅 控整流器单元的第二端点为该NPN双极性接面晶体管的射极；一第一电阻，耦接于该PNP双极性接面晶体管的射极和基极之间；以及一第二电阻，耦接于该NPN双极性接面晶体管的射极和基极之间。3. 如权利要求2所述的静电保护电路，还包含一触发脉冲输入端，耦接于每个PNP双极 性接面晶体管的基极。4. 如权利要求3所述的静电保护电路，还包含一第一触发脉冲输入端，耦接于每个NPN 双极性接面晶体管的基极。5. 如权利要求2所述的静电保护电路，还包含一第二触发脉冲输入端，耦接于每个NPN 双极性接面晶体管的基极。6. 如权利要求2所述的静电保护电路，还包含一触发脉冲输入端，耦接于一第一个硅 控整流器单元的PNP双极性接面晶体管的基极。7. 如权利要求6所述的静电保护电路，还包含一第一触发脉冲输入端，耦接于该第一 个硅控整流器单元的NPN双极性接面晶体管的基极。8. 如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯明道，林群佑，王畅资，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]