【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体为一种垂直式hemt-led集成器件的制备方法。
技术介绍
1、gan为一种具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性的半导体材料，可作为高电子迁移率场效应晶体管(即hemt) 、发光二极管（即led）的基础材料。led具有稳定性高、功率损耗低、响应速度快等优点，广泛应用于led显示屏、交通信号、室内照明等领域，hemt具有高迁移率、高灵敏度等优点，广泛应用于超高频、超高速集成电路或传感器中。
2、因hemt器件具有高击穿电压和低导通电阻，能够提供高频和大电流，驱动led进行显示、照明，因此，可将led和hemt进行共衬底集成，目前常用的hemt与led集成器件（即hemt-led）为同面结构，即hemt与led分布于衬底的同一面，但这种结构中，由于led和hemt器件所用材料为同系列材料，led的发光波长和hemt器件材料吸收波长在同一个范围内，而目前gan的生长工艺为异质外延生长，生长过程中易存在位错、点缺陷等，且缺陷不可避免，导致其吸收的波长比禁带对应波长短，因此l...
【技术保护点】
1.一种垂直式HEMT-LED集成器件的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的垂直式HEMT-LED集成器件的制备方法，其特征在于，采用光刻及刻蚀工艺或激光开孔工艺，在所述衬底（1）中开设第一导电孔（101）或第二导电孔（102），所述源极（3）通过相应所述第二导电孔（102）与所述P电极（8）电连接，或，所述漏极（4）通过相应所述第一导电孔（101）与所述N电极（7）电连接，所述第一导电孔（101）或第二导电孔（102）中的填充金属包括In、Sn、Au、Ta、Cu中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的垂直式HEMT...
【技术特征摘要】
1.一种垂直式hemt-led集成器件的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的垂直式hemt-led集成器件的制备方法，其特征在于，采用光刻及刻蚀工艺或激光开孔工艺，在所述衬底（1）中开设第一导电孔（101）或第二导电孔（102），所述源极（3）通过相应所述第二导电孔（102）与所述p电极（8）电连接，或，所述漏极（4）通过相应所述第一导电孔（101）与所述n电极（7）电连接，所述第一导电孔（101）或第二导电孔（102）中的填充金属包括in、sn、au、ta、cu中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的垂直式hemt-led集成器件的制备方法，其特征在于，采用金属有机物化学气相沉积工艺、光刻及刻蚀工艺，制备所述hemt外延层（2），所述hemt外延层（2）包括从下至上依次分布的缓冲层（21）、沟道层（22）、阻挡层（23）、势垒层（24）、帽层（25）。
4.根据权利要求3所述的垂直式hemt-led集成器件的制备方法，其特征在于，所述衬底（1）的材质为si、蓝宝石、sic或gan，所述缓冲层（21）的材质为aln、gan或algan，所述沟道层（22）的材质为gan，所述阻挡层（23）的材质为aln，所述势垒层（24）的材质为algan，所述帽层（25）的材质为gan，所述势垒层（24）中al的含量为0.2at.％～0.3at.％。
5.根据权利要求4所述的垂直式hemt...
【专利技术属性】
技术研发人员：张贺秋，王子坤，邓群雄，韩奎，郭文平，梁红伟，夏晓川，张克雄，
申请(专利权)人：元旭半导体科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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