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本发明涉及半导体技术领域，具体为一种垂直式HEMT‑LED集成器件的制备方法，该制备方法中，首先在衬底的正面、反面制备HEMT外延层、LED外延层，然后在HEMT外延层制备源极、漏极、栅极，在LED外延层制备N电极、P电极，源极与P电极电连...
该专利属于元旭半导体科技（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过元旭半导体科技（无锡）有限公司授权不得商用。

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