可挠性电路结构制造技术

技术编号:42629779 阅读:28 留言:0更新日期:2024-09-06 01:31
本申请公开了一种可挠性电路结构,包括:介电层,包括上表面以及连接上表面的多个侧表面;可挠性基板,可挠性基板的一端被介电层包覆,并且可挠性基板于其外周面处具有金属层;电路层,设置于介电层的上表面和侧表面并且电性连接可挠性基板的金属层,电路层直接接触侧表面和金属层。上述技术方案通过沿着介电层的上表面和侧表面设置的电路层来电性连接可挠性基板的金属层,因此可以不需要在介电层中设置通孔来作电性连接,省去了打孔的空间,有更多的空间可做分配或微小化,能够提高面板利用率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及一种可挠性电路结构


技术介绍

1、软板和硬板的结合(例如参见图1a所示的软板12和硬板14a、14b的结合),改变了传统平面式电路板的设计概念,并在使用上有更多的空间。参见图1b所示,一般软板12和硬板14a、14b之间的电路结合常使用钻孔技术,在z轴方向以通孔17进行电性连接,形成可弯曲结构(参见图1a所示)。

2、具体的,图2a至图2j示出了形成现有软板和硬板结合结构的方法的多个步骤处的截面示意图。参见图2a所示,提供覆铜板(ccl,copper clad laminate)20。覆铜板20包括介电芯层22,及分别覆盖于介电芯层22的上下侧的两个铜层24。参见图2b所示,执行钻孔制程,以穿过覆铜板20形成穿孔31。参见图2c所示,执行电镀制程,在覆铜板20的表面上及穿孔31的内壁上形成金属层42。参见图2d所示,通过光刻制程对铜层24和金属层42进行图案化,形成了软板50。参见图2e所示,在软板50的上下两侧分别层叠一盖层61a、61b。参见图2f所示,在软板50的上下两侧分别层叠介电层62和金属层64。然后参见图2g所示,进行固化使得介电层62相互附接在一起。参见图2h所示,执行钻孔制程和电镀制程,以穿过金属层64和介电层62形成通孔66和连接于通孔66的金属层68,通孔66电性连接至软板50的金属层42。参见图2i所示,通过光刻制程对金属层64、68进行图案化。然后去除盖层61a上方及盖层61b下方的介电层62和金属层64,参见图2j所示,然后在介电层62的上下侧分别形成阻焊层70。

3、钻孔技术工序较复杂、制作流程长、成本高、设计不灵活、面板(panel)利用率低,而且电路表面需预留打孔空间,不利于空间分配以及微小化。若不使用钻孔技术,将电路设置于表面连接软板和硬板,就需要克服电路上表面到侧表面接近直角的转折,在立体结构下要将电路分布均匀,对于常使用的rdl(redistribution layer,重布线层)或化镀都是一大挑战。若以现有pvd(physical vapor deposition,等离子体气相沉积)技术为整面渐镀导电层,无法直接进行局部导电层增层。现有的线路技术无法取代钻孔技术于不同的软硬基板间进行z轴方向连接。


技术实现思路

1、针对以上问题,本申请提出一种可挠性电路结构。

2、本申请的技术方案是这样实现的:

3、根据本申请的一个方面,提供了一种可挠性电路结构,该可挠性电路结构包括:介电层,包括上表面以及连接上表面的多个侧表面;可挠性基板,可挠性基板的一端被介电层包覆,并且可挠性基板于其外周面处具有金属层;电路层,设置于介电层的上表面和侧表面并且电性连接可挠性基板的金属层,电路层直接接触侧表面和金属层。

4、在一些实施例中,在由上表面到可挠性基板的方向上,电路层在侧表面的厚度递减。

5、在一些实施例中,上表面与侧表面形成的夹角的角度不大于90°。

6、在一些实施例中,电路层还设置于金属层的外表面。

7、在一些实施例中,电路层的厚度沿上表面、侧表面递减,电路层在金属层的外表面的厚度在邻近侧表面的位置处具有最小厚度。

8、在一些实施例中,可挠性基板的另一端由另一介电层包覆,电路层还延伸至另一介电层的表面。

9、在一些实施例中,介电层还包括与上表面相对的下表面,电路层沿侧表面设置于下表面。

10、在一些实施例中,可挠性电路结构还包括绝缘层,绝缘层设置在上表面上方的电路层上。

11、在一些实施例中,电路层在侧表面的厚度和在上表面的厚度比例在80%-100%的范围内。

12、在一些实施例中,可挠性电路结构还包括导电件,导电件设置于上表面上方的电路层上,导电件通过电路层电性连接可挠性基板。

13、本申请的上述技术方案,通过沿着介电层的上表面和侧表面设置电路层来电性连接可挠性基板的金属层,因此可以不需要在介电层中设置通孔来电性连接可挠性基板,省去了打孔的空间,所以有更多的空间可做分配或微小化,能够提高面板利用率。并且,由于省去了打孔制程,所以也可以降低成本,并提升设计灵活性。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种可挠性电路结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的可挠性电路结构,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的可挠性电路结构,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的可挠性电路结构,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的可挠性电路结构,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的可挠性电路结构,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的可挠性电路结构,其特征在于,

8.根据权利要求1所述的可挠性电路结构,其特征在于,所述可挠性电路结构还包括:

9.根据权利要求1所述的可挠性电路结构,其特征在于,

10.根据权利要求1所述的可挠性电路结构,其特征在于,还包括:

【技术特征摘要】

1.一种可挠性电路结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的可挠性电路结构,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的可挠性电路结构,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的可挠性电路结构,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的可挠性电路结构,其特征在于,

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄文宏廖玉茹
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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