【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制造反式体的比例高的取代环己烷羧酸类、以及反式/反式体 的比例高的二环己烷二羧酸类的方法。
技术介绍
环己烷羧酸的反式体、以及二环己烷二羧酸的反式/反式体作为液晶材 料、医药品、高分子材料等各种领域的中间体是有用的。获得环己烷羧酸的 反式体的方法、以及将二环己烷二羧酸的顺式/顺式体、顺式/反式体异构化成反式/反式体的方法已经提出有各种方法(例如,专利文献1 6及非专利 文献l)。但是,以往提出的任何方法都是在严格的反应条件下进行反应,因 此希望有在更加温和的条件下获得环己烷羧酸类的反式取代体、以及二环己 烷二羧酸类的反式/反式取代体的方法。专利文献l:日本特开平10-237015号公报专利文献2:日本特开2000-191602号公报专利文献3:日本特开2003-96026号公报专利文献4:日本特开2003-128620号公报专利文献5:日本特开2004-307468号公报专利文献6:日本特公昭39-27244号公报非专利文献1: Tetrahedron Letters 2004,45,6669-7
技术实现思路
本专利技术的课题是提供能够制造反式体的比 ...
【技术保护点】
一种制造取代环己烷羧酸酰卤的方法,其中,在强酸的存在下,将反式体的比例为a%的取代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰基,从而制造反式体的比例为b%的取代环己烷羧酸酰卤,其中0≤a,a<b。
【技术特征摘要】
JP 2007-12-20 328238/2007;JP 2008-3-25 077816/20081、一种制造取代环己烷羧酸酰卤的方法,其中,在强酸的存在下,将反式体的比例为a%的取代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰基,从而制造反式体的比例为b%的取代环己烷羧酸酰卤,其中0≤a,a<b。2、 一种取代环己烷羧酸的制造方法,其特征在于,该制造方法包含以下 工序第1工序,在该工序中,在强酸的存在下,将反式体的比例为3%的取 代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰基,其中0《a,禾口,第2工序,在该工序中,将第l工序中得到的取代环己垸羧酸酰卤的卤 代羰基水解,从而得到反式体的比例为c。/。的取代环己烷羧酸,其中a。3、 一种取代环己烷羧酸酯或取代环己烷羧酸酰胺的制造方法,其特征在 于,该制造方法包含以下工序第1工序,在该工序中,在强酸的存在下,将反式体的比例为a。/。的取 代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰基,从而得到取代环己垸羧酸酰卤,其中 0《a,和,第2工序,在该工序中,使第1工序中得到的取代环己烷羧酸酰卤与含 有羟基的化合物或含有氨基的化合物或含氮杂环化合物反应,从而得到反式 体的比例为d。/。的取代环己烷羧酸酯或取代环己烷酰胺,其中a<d。4、 一种制造二环己垸二羧酸酰卤的方法,其中,在强酸的存在下,将二 环己垸环上的1位和4位、以及l'位和...
【专利技术属性】
技术研发人员:浜崎亮,田中悟史,野吕正树,
申请(专利权)人:富士胶片株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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