反式取代环己烷羧酸类、以及反式/反式二环己烷二羧酸类的制造方法技术

技术编号:4262809 阅读:220 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供反式取代环己烷羧酸类、以及反式/反式二环己烷二羧酸类的制造方法。本发明专利技术的目的是提供一种反式体的比例高的取代环己烷羧酸类的新型制造方法,其中,在强酸的存在下,将反式体的比例为a%(其中0≤a)的取代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰基,从而得到反式体的比例为b%(其中a<b)的取代环己烷羧酸酰卤,进而将得到的取代环己烷羧酸酰卤的卤代羰基水解,从而得到反式体的比例为c%(其中a<c)的取代环己烷羧酸;以及使得到的取代环己烷羧酸酰卤与含有羟基的化合物或含有氨基的化合物或含氮杂环化合物反应,从而得到反式体的比例为d%(其中a<d)的取代环己烷羧酸酯或取代环己烷羧酸酰胺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造反式体的比例高的取代环己烷羧酸类、以及反式/反式体 的比例高的二环己烷二羧酸类的方法。
技术介绍
环己烷羧酸的反式体、以及二环己烷二羧酸的反式/反式体作为液晶材 料、医药品、高分子材料等各种领域的中间体是有用的。获得环己烷羧酸的 反式体的方法、以及将二环己烷二羧酸的顺式/顺式体、顺式/反式体异构化成反式/反式体的方法已经提出有各种方法(例如,专利文献1 6及非专利 文献l)。但是,以往提出的任何方法都是在严格的反应条件下进行反应,因 此希望有在更加温和的条件下获得环己烷羧酸类的反式取代体、以及二环己 烷二羧酸类的反式/反式取代体的方法。专利文献l:日本特开平10-237015号公报专利文献2:日本特开2000-191602号公报专利文献3:日本特开2003-96026号公报专利文献4:日本特开2003-128620号公报专利文献5:日本特开2004-307468号公报专利文献6:日本特公昭39-27244号公报非专利文献1: Tetrahedron Letters 2004,45,6669-7
技术实现思路
本专利技术的课题是提供能够制造反式体的比例高的环己烷羧酸类、以及反 式/反式体的比例高的二环己垸二羧酸类的新型方法。 用于解决上述课题的手段如下所述。 一种制造取代环己烷羧酸酰卤的方法,其中,在强酸的存在下,将4反式体的比例为a。/c (其中0《a)的取代环己垸羧酸的羧基转变为卤代羰基, 从而制造反式体的比例为bM (其中a<b)的取代环己烷羧酸酰卣。 —种取代环己垸羧酸的制造方法,其特征在于,该制造方法包含以 下工序.,第1工序,在该工序中,在强酸的存在下,将反式体的比例为a% (其 中0《a)的取代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰基,从而得到取代环己烷羧 酸酰卤,禾口,第2工序,在该工序中,将第1工序中得到的取代环己烷羧酸酰卤的卤 代羰基水解,从而得到反式体的比例为c。/。(其中a〈c)的取代环己烷羧酸。 —种取代环己垸羧酸酯或取代环己垸羧酸酰胺的制造方法,其特征 在于,该制造方法包含以下工序第1工序,在该工序中,在强酸的存在下,将反式体的比例为a% (其 中0《a)的取代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰基,从而得到取代环己烷羧 酸酰卤,和,第2工序,在该工序中,使第1工序中得到的取代环己垸羧酸酰卤与含 有羟基的化合物或含有氨基的化合物或含氮杂环化合物反应,从而得到反式 体的比例为d。/。(其中3<(1)的取代环己烷羧酸酯或取代环己烷酰胺。 一种制造二环己垸二羧酸酰卤的方法,其中,在强酸的存在下,将 二环己垸环上的1位和4位、以及1,位和4'位的立体关系中反式/反式体的 比例为e% (其中0《e)的二环己烷二羧酸的羧基转变为卤代羰基,从而制 造反式/反式体的比例为f3/。(其中e〈f)的二环己垸二羧酸酰卤。 —种二环己垸二羧酸的制造方法,其特征在于,该制造方法包含以 下工序第1工序,在该工序中,在强酸的存在下,将二环己垸环上的1位和4 位、以及1'位和4'位的立体关系中反式/反式体的比例为e°/。(其中0《e)的 二环己垸二羧酸的羧基转变为卤代羰基,禾口,第2工序,在该工序中,将第1工序中得到的二环己烷二羧酸酰卤的卤 代羰基水解,从而得到反式/反式体的比例为g% (其中e<g)的二环己垸二 羧酸。 —种二环己垸二羧酸二酯或二环己垸二羧酸二酰胺的制造方法,其特征在于,该制造方法包含以下工序第1工序,在该工序中,在强酸的存在下,将二环己烷环上的1位和4位、以及1'位和4'位的立体关系中反式/反式体的比例为e% (其中0《e)的 二环己烷二羧酸的羧基转变为卤代羰基,从而得到二环己烷二羧酸酰卤,禾卩, 第2工序,在该工序中,使第1工序中得到的二环己烷二羧酸酰卤与含 有羟基的化合物或含有氮基的化合物或含氮杂环化合物反应,从而得到反式/ 反式体的比例为h% (其中e<h)的二环己垸二羧酸二酯或二环己垸二羧酸二 酰胺。根据[1] [6]中任一项所述的方法,其特征在于,卤代羰基是氯代羰基。根据[1] [7]中任一项所述的方法,其特征在于,所述强酸是硫酸或 磺酸。一种反式取代环己烷羧基的制造方法,其包含在强酸的存在下, 将顺式取代环己烷羧酸中的羧基转变为卤代羰基,和将卤代羰基水解再形成羧基。 —种反式取代环己垸羧酸酯或反式取代环己垸酰胺的制造方法,其包含在强酸的存在下,将顺式取代环己垸羧酸中的羧基转变为卤代羰基, 以及使卤代羰基与含有羟基的化合物或含有氨基的的化合物或含氮杂环化合 物反应。 一种反式/反式-二环己烷二羧基的制造方法,其包含在强酸的存 在下,将顺式/顺式-和/或顺式/反式-二环己垸二羧酸中的羧基转变为卤代羰 基,以及将卤代羰基水解再形成羧基。 —种反式/反式-二环己垸二羧酸二酯或反式/反式-二环己烷二羧酸 二酰胺的制造方法,其包含在强酸的存在下,将顺式/顺式-和/或顺式/反式 -二环己烷二羧酸中的羧基转变为卤代羰基,以及使卤代羰基与含有羟基的化 合物或含有氨基的的化合物或含氮杂环化合物反应。根据本专利技术,可以提供能够制造反式体的比例高的环己垸羧酸类、以及 反式/反式体的比例高的二环己垸二羧酸类的新型方法。具体实施方式以下,对本专利技术进行详细说明。另外,本说明书中使用 表示的数 值范围是指将 的前后记载的数值作为下限值和上限值并包括在内的范 围。本专利技术涉及通过在强酸的存在下将取代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰 基,从而制造反式体的比例得到了提高的取代环己烷羧酸酰卤的方法。另外, 还涉及利用由上述方法而使反式体的比例得到了提高的取代环己烷羧酸酰 卤,通过水解来制造反式体的比例得以提高的取代环己烷羧酸的方法。进而, 本专利技术还涉及以下方法利用由上述方法而使反式体的比例得到了提高的取 代环己垸羧酸酰卤,通过使其与脂肪族醇类或酚类等含有羟基的化合物、或 脂肪族伯胺或脂肪族仲胺等脂肪族胺类或苯胺等芳香族胺类等含有氨基的化 合物、或哌啶、吗啉、吩噻嗪等含氮杂环化合物发生反应,从而制造取代环 己垸羧酸酯或取代环己垸酰胺。2-取代、3-取代和4-取代环己烷羧酸例如可以通过将邻-取代、间-取代、 对-取代苯甲酸进行接触还原而得到,此时, 一般是作为顺式体和反式体的混 合物而得到,2-取代和4-取代环己烷羧酸是作为顺式体的比例比反式体高的 混合物而得到。本专利技术中,使用取代环己烷羧酸的顺式体和反式体的混合物 作为起始原料,通过在强酸的存在下将羧基转变为卤代羰基来提高反式体的 比例。作为起始原料,当然也可以不使用混合物,而仅使用取代环己烷羧酸 的顺式体。本专利技术的方法中,有关作为起始原料使用的取代环己垸羧酸所具有的取 代基,没有特别限制。只要不会阻碍取代环己烷羧酸中的羧基在强酸存在下 转变为卤代羰基,则可以是任何取代基。取代环己烷羧酸的取代基的例子包 括卣原子(例如Cl、 Br、 F、 1)、氰基、羧基、磺基、碳原子数为1 20 的链状或环状烷基(例如甲基、乙基、异丙基、正丁基、环己基、苄基、苯 乙基、4-羧基丁基、2-甲氧基乙基)、碳原子数为1 20的链烯基(例如乙烯 基、烯丙基、2-己烯基)、碳原子数为2 8的炔基(例如乙炔基、l-丁炔基、 3-己炔基)、碳原子数为6 20的芳基(例如苯基、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造取代环己烷羧酸酰卤的方法,其中,在强酸的存在下,将反式体的比例为a%的取代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰基,从而制造反式体的比例为b%的取代环己烷羧酸酰卤,其中0≤a,a<b。

【技术特征摘要】
JP 2007-12-20 328238/2007;JP 2008-3-25 077816/20081、一种制造取代环己烷羧酸酰卤的方法,其中,在强酸的存在下,将反式体的比例为a%的取代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰基,从而制造反式体的比例为b%的取代环己烷羧酸酰卤,其中0≤a,a<b。2、 一种取代环己烷羧酸的制造方法,其特征在于,该制造方法包含以下 工序第1工序,在该工序中,在强酸的存在下,将反式体的比例为3%的取 代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰基,其中0《a,禾口,第2工序,在该工序中,将第l工序中得到的取代环己垸羧酸酰卤的卤 代羰基水解,从而得到反式体的比例为c。/。的取代环己烷羧酸,其中a。3、 一种取代环己烷羧酸酯或取代环己烷羧酸酰胺的制造方法,其特征在 于,该制造方法包含以下工序第1工序,在该工序中,在强酸的存在下,将反式体的比例为a。/。的取 代环己烷羧酸的羧基转变为卤代羰基,从而得到取代环己垸羧酸酰卤,其中 0《a,和,第2工序,在该工序中,使第1工序中得到的取代环己烷羧酸酰卤与含 有羟基的化合物或含有氨基的化合物或含氮杂环化合物反应,从而得到反式 体的比例为d。/。的取代环己烷羧酸酯或取代环己烷酰胺,其中a<d。4、 一种制造二环己垸二羧酸酰卤的方法,其中,在强酸的存在下,将二 环己垸环上的1位和4位、以及l'位和...

【专利技术属性】
技术研发人员:浜崎亮田中悟史野吕正树
申请(专利权)人:富士胶片株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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