【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制备，特别是涉及一种分子束外延设备的原位掩膜架及分子束外延设备。
技术介绍
1、分子束外延(mbe，molecular beam epitaxy)技术是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的技术。其基本原理是在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，直接喷射到适当温度的衬底上，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在衬底上形成薄膜。
2、分子束外延设备就是利用分子束外延技术来制备多层薄膜的设备。其中，当多层薄膜制备时，需要利用掩膜板对薄膜进行掩膜刻蚀或生长。然而，在对薄膜掩膜前，需要从分子束外延设备的真空室内取出样品，将衬底与掩膜板一同固定到样品架上，之后再将样品架传入分子束外延设备的真空室内使用，整个过程操作复杂；况且，掩膜板采用螺纹件紧固于样品架上，当掩膜完成之后，掩膜板无法在真空室内与样品架脱离，只能在大气压下脱离，这使得衬底上的薄膜暴露于大气压下，不利于多层薄膜的制备。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种分子束...
【技术保护点】
1.一种分子束外延设备的原位掩膜架，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的原位掩膜架，其特征在于，所述抓手的前端设置有缺口，所述缺口包括依次相通的第一缺口段、第二缺口段及第三缺口段，所述第一缺口段沿所述抓手的轴向延伸并贯穿所述抓手的前端端面，所述第二缺口段沿所述抓手的径向延伸，所述第二缺口段沿所述抓手的轴向延伸；
3.根据权利要求2所述的原位掩膜架，其特征在于，所述座体上设置有安装孔，所述安装孔贯穿所述座体的外周面与所述拆装槽的第一槽侧壁；
4.根据权利要求1所述的原位掩膜架，其特征在于，所述加热台的基板上设置有第一安装凸起；
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种分子束外延设备的原位掩膜架，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的原位掩膜架，其特征在于，所述抓手的前端设置有缺口，所述缺口包括依次相通的第一缺口段、第二缺口段及第三缺口段，所述第一缺口段沿所述抓手的轴向延伸并贯穿所述抓手的前端端面，所述第二缺口段沿所述抓手的径向延伸，所述第二缺口段沿所述抓手的轴向延伸；
3.根据权利要求2所述的原位掩膜架，其特征在于，所述座体上设置有安装孔，所述安装孔贯穿所述座体的外周面与所述拆装槽的第一槽侧壁；
4.根据权利要求1所述的原位掩膜架，其特征在于，所述加热台的基板上设置有第一安装凸起；
5.根据权利要求4所述的原位掩膜架，其特征在于，所述弹片包括与所述安装座连接的安装段及与所述安装段连接的夹持段，两个所述弹片的夹持段相向倾斜。
6.根据权利要求5所述的原位掩膜架，其特征在于，所述第一安装凸起具有第一侧面、两个第二侧面及两个避让槽，所述第一侧面面向...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔凌霞，李景雷，
申请(专利权)人：北京分量科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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