一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料及其制备方法、应用技术

本发明专利技术涉及半导体材料领域，公开了一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料及其制备方法、应用。该材料的化学式为CuIn<subgt;x</subgt;Se<subgt;y</subgt;，3＜x＜10，5＜y＜16；具有层状范德华单晶结构。制备方法包括：1）将Cu、In和Se真空密封升温熔融并保温，冷却，得到多晶棒；2）将多晶棒竖直置于双温区立式单晶炉中，温度由部至顶部递增，冷却，形成单晶铸锭；3）解理、切割，获得铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料。本发明专利技术发现符合上述条件的材料，室温塑性弯曲应变可达5‑50%，在厚度为100μm‑100mm内进行弯曲、扭转、折叠、压缩变形而不断裂，并且可保持室温电导率在100‑8000 S m<supgt;‑1</supgt;，且电导率随温度升高而增大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料领域，尤其涉及一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料及其制备方法、应用。

技术介绍

1、随着现代科技的突飞猛进，电子产品不断趋向柔性化、小型化甚至微型化的开发，以突破传统方法难以克服的技术壁垒。近几年，柔性电子材料与器件越来越受到国内外学术界及工业界的关注和重视，其独特的柔性/延展性以及高效、低成本制造工艺，在信息、能源、医疗、国防等领域都展现出广泛且重要的应用前景，被誉为未来革命性的电子技术。

2、与传统刚性硅基半导体电子器件不同，柔性电子器件应具备可弯曲/拉伸变形或可穿戴的功能，这就对材料本身的柔性和塑性提出了要求。现有的绝大多数无机半导体材料电学性能优异，但通常具有本征脆性，其机械加工和变形能力较差；而高分子材料虽具有良好的变形能力，但半导体特性较差。开发具有良好柔性和塑性的半导体，有望实现柔性电子领域的快速发展。

3、近年，本征无机柔性和塑性半导体ag2s、inse等的发现，开启了柔性电子材料与器件的新时代。例如，室温下ag2s具有类金属的形变能力，可以被弯曲、扭转成不同形状而不发生断裂破坏。目前所发现的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料，其特征在于：化学式为CuInxSey，3＜x＜10，5＜y＜16；具有层状范德华单晶结构。

2.根据权利要求1所述的铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料，其特征在于：5≤x≤9，8≤y≤14。

3.根据权利要求2所述的铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料，其特征在于：x=5，y=8；或x=6，y=9.5；或x=7，y=11；或x=8，y=12.5。

4.根据权利要求1-3任一项所述的铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料，其特征在于：厚度为100μm-100mm。

5.根据权利要求1-3任一项所述的铜铟硒基无机塑性范德华...

【技术特征摘要】

1.一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料，其特征在于：化学式为cuinxsey，3＜x＜10，5＜y＜16；具有层状范德华单晶结构。

2.根据权利要求1所述的铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料，其特征在于：5≤x≤9，8≤y≤14。

3.根据权利要求2所述的铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料，其特征在于：x=5，y=8；或x=6，y=9.5；或x=7，y=11；或x=8，y=12.5。

4.根据权利要求1-3任一项所述的铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料，其特征在于：厚度为100μm-100mm。

5.根据权利要求1-3任一项所述的铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料，其特征在于：室温塑性弯曲应变为5-50%。...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓婷婷，李泽，仇鹏飞，史迅，
申请(专利权)人：国科大杭州高等研究院，
类型：发明
国别省市：