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本发明涉及半导体材料领域，公开了一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料及其制备方法、应用。该材料的化学式为CuIn<subgt;x</subgt;Se<subgt;y</subgt;，3＜x＜10，5＜y＜16；具有层状...
该专利属于国科大杭州高等研究院所有，仅供学习研究参考，未经过国科大杭州高等研究院授权不得商用。

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