【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用根据美国法典第35条119款，此美国非临时专利申请要求得到2008年6月 10曰提交的韩国申请号为10-2008-0054082的专利申请的优先权。因此，该申 请的全部内容被作为参考采用。
技术介绍
此处披露的本专利技术涉及一种半导体生产装置和方法，更特别地，涉及一种使 用单一基片处理方法抛光和清洗基片的基片处理装置和方法。在一般的半导体器件的生产过程中，多个处理过程，如沉积过程、摄影过程 和蚀刻过程重复进行，以形成和堆集晶圓上的薄膜。这些过程一直重复，直到 在晶圆上形成一种理想的电路模式。当此电路模式形成后晶圆的表面变得不平 整。最近的高度集成的半导体器件具有多层结构，许多表面弯曲，且表面弯曲 之间的高度差异越来越大。由于晶圆的不平整表面会引起摄影过程中的散焦等 问题，因此应定期抛光晶圆的不平整表面以使晶圆的不平整表面变得平整。不同的表面平整化技术已被开发，以使晶圆的表面平整化，且在这些平整化 技术中一化学机械抛光(CMP)技术被广泛应用，因为使用此化学机械抛光技术 可使宽面和窄面在平整化时得到良好的平整度。 一化学机械抛光装置被用来通 过机械摩擦...
【技术保护点】
一种单一型基片处理装置，其特征在于，包括： 一处理腔，在其中基片得到处理； 一基片支撑单元，可转动地设置在所述处理腔中，用于在所述基片支撑单元上放置基片； 一抛光单元，设置在所述处理腔中所述基片支撑单元的一侧，用于通过化学 和机械抛光方法抛光基片；和 一清洗单元，设置在所述处理腔中所述基片支撑单元的另一侧，用于清洗所述基片。
【技术特征摘要】
KR 2008-6-10 10-2008-00540821、一种单一型基片处理装置，其特征在于，包括一处理腔，在其中基片得到处理；一基片支撑单元，可转动地设置在所述处理腔中，用于在所述基片支撑单元上放置基片；一抛光单元，设置在所述处理腔中所述基片支撑单元的一侧，用于通过化学和机械抛光方法抛光基片；和一清洗单元，设置在所述处理腔中所述基片支撑单元的另一侧，用于清洗所述基片。2、 如权利要求1所述的单一型基片处理装置，其特征在于，其中所述抛 光单元包括一抛光头，在所述抛光头上装有一抛光垫，用于抛光基片； 一第一驱动构件，用于在所述抛光头的中央旋转所述抛光头； 一第二驱动构件，用于在一水平面内移动所述抛光头；和 一第三驱动构件，用于上下移动所述抛光头。3、 如权利要求2所述的单一型基片处理装置，其特征在于，其中所述抛 光头包括一底部开口的圆柱形外罩；一抛光垫底座，设置在所述外罩的底部开口处，用于与所述抛光垫相连接； 一垂直延伸的波紋管，设置在抛光垫底座的顶部表面；和 一气动构件，用于向所述波紋管施加气压。4、 如权利要求3所述的单一型基片处理装置，其特征在于，其中所述抛 光垫附着在一金属板的一侧，和所述抛光垫底座，包括一磁性构件，用于对所述金属板施加磁力，以便使 所述金属板的另一侧可分开地附着于所述抛光垫底座。5、 如权利要求3所述的单一型基片处理装置，其特征在于，其中，所述 第一驱动构件包括第一驱动电机；第一主动带轮，所述第一驱动电机的旋转轴插装在所述第一主动带轮中； 第一从动带轮，其中装有气动构件；和第一传动带，绕在所述第一主动带轮和第一从动带轮上，用于将第一驱动 电机的旋转力从第一主动带轮传送到第一从动带轮上。6、 如权利要求3所述的单一型基片处理装置，其特征在于，其中所述第 二驱动构件包括一摇臂，所述摇臂的一端与所述外罩水平连接；一垂直臂，与所述摇臂的另一端垂直连接；和 第二驱动电机，用于向所述垂直臂提供旋转力。7、 如权利要求6所述的单一型基片处理装置，其特征在于，进一步包括 第二主动带轮，其中插装有所述第二驱动电机的旋转轴； 第二从动带轮，其中插装有所述垂直臂；和第二传动带，第二传动带绕在所述第二主动带轮和第二从动带轮上，用于 将第二驱动电机的旋转力从第二主动带轮传送到第二从动带轮上。8、 如权利要求6所述的单一型基片处理装置，其特征在于，其中，第一 驱动构件的第一驱动电机和第一主动带轮设置在所述摇臂上，和第 一传动带通过所述摇臂的内部区域绕在第 一主动轮和第 一从动轮上。9、 如权利要求6所述的单一型基片处理装置，其特征在于，其中所述第 三驱动构件包括支座，用于可转动地...
【专利技术属性】
技术研发人员：具敎旭，崔基勋，崔重奉，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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