【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种PZT薄膜的制备方法。
技术介绍
PZT(锆钛酸铅)陶瓷材料是当前应用最广、研究最深入的铁电材料。PZT陶瓷材料具有优异的热释电、压电和铁电性能,是制备热释电红外探测器、微型压电驱动器、铁电存储器、铁电声纳换能器等器件的理想材料。作为块体材料使用的PZT陶瓷材料虽然具有优异的电性能,但工作电压高,使用频率低,不适于兼容半导体集成电路工艺,因而使其应用受到一定的限制。 目前PZT薄膜已成为研究的主要方向,与块体材料相比,其优越性是尺寸小,重量轻、工作电压 低,能与半导体集成电路兼容。目前,已有报道使用脉冲激光沉积法、磁控溅射法、金属有机物化学气相沉积法和溶胶-凝胶法等方法制备出PZT薄膜。其中,溶胶-凝胶法成本最低,适合大面积成膜,但是溶胶_凝胶法在使用匀胶机旋涂成膜时,容易在薄膜表面出现颗粒聚集,致使薄膜不平整,从而影响PZT薄膜的的电学性质。 本专利技术提供了一种PZT薄膜的制备方法,能够得到表面平整光滑,厚度均匀的PZT薄膜。
技术实现思路
本专利技术提供了一种PZT薄膜的制备方法,首先制备所用的先体溶液,将乙酸铅,钛酸丁酯和庚酸氧锆溶解在乙 ...
【技术保护点】
一种PZT薄膜的制备方法,包括使用乙酸铅,钛酸丁酯和庚酸氧锆和乙二醇乙醚来制备先体溶液,得到PZT溶胶;使用匀胶机将PZT溶胶旋涂在硅片上,经多次旋涂后得到表面平整光滑,厚度均匀的PZT薄膜,其特征在于:每次旋涂的同时均使用碘钨灯照射。
【技术特征摘要】
一种PZT薄膜的制备方法,包括使用乙酸铅,钛酸丁酯和庚酸氧锆和乙二醇乙醚来制备先体溶液,得到PZT溶胶;使用匀胶机将PZT溶胶旋涂在硅片上,经多次旋涂后得到表面平整光滑,...
【专利技术属性】
技术研发人员:张炎,
申请(专利权)人:南通芯迎设计服务有限公司,
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]
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