显示装置以及该显示装置的驱动方法制造方法及图纸

一种显示装置，包括：第一单位像素，布置在第一像素列和第一像素行中，以及第二单位像素，布置在第一像素列和与第一像素行相邻的第二像素行中，以及第一和第二栅极线，沿着行方向延伸并且在其端子部分具有栅极电压输入焊盘。第一和第二数据线沿着列方向延伸并且分别连接到第一单位像素和第二单位像素。第一电荷控制线沿着行方向延伸并且在其端子部分具有电荷控制栅极电压输入焊盘。第一栅极线连接到第一单位像素以及第二栅极线连接到第二单位像素。第一栅极线和第二栅极线同时接收相同的选通脉冲。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示装置。更具体地，本专利技术涉及一种减少了 余^f象和改善了显示质量的显示装置，以及驱动该显示装置的方法。
技术介绍
液晶显示(LCD)装置正在活跃地发展以增进相对于其他类 型的显示装置(诸如以阴才及射线管(CRTs)为例)的优势，诸如 小尺寸、轻重量以及大屏幕尺寸。通常，LCD使用多个单位像素来 显示图像，其每个单位像素均包括薄膜晶体管(TFT)和液晶电谷吞。更具体地，液晶电容器典型地包括像素电极、公共电极以及布置在二者之间的液晶层。在LCD的操作过程中，通过经由TFT供 给外部电荷(例如，灰度信号)到达像素电极在像素电极和公共电 极之间获得了电场。改变电场就会改变液晶显示层中的液晶分子的 晶向，并且传播通过液晶层的光量因此而被改变以显示期望的图像。 然而，由于例如由液晶分子的固有特性引起的余像，现有技术的 LCD遇到能见度差的问题。LCD的分辨率与单位面积内提供的单位像素的数量成比例。更 具体地，随着每单位面积单位^象素的凄t量的增加分辨率会增加。然 而，随着分辨率的增加，需要的扫描线(例如，栅极线)的数量会 增加，并且可用于将外部电荷(例如，灰度信号)充电到一个像素7电极中的时间因此而减少，进一步妨碍了现有技术的LCD显示期望的图像。
技术实现思路
才艮据本专利技术的示例性实施例的显示装置包括多个单位像素， 排列为具有像素列和像素行的矩阵，该多个单位像素包括布置在第 一像素列和第 一像素行中的第 一单位像素以及布置在第 一像素列和 与第 一像素行相邻的第二像素行中的第二单位像素；第 一栅极线和 第二栅极线，各自基本上沿着行方向延伸并且各自具有布置在其端 子部分处的棚-极电压输入焊盘(pad);第一数据线和第二数据线， 基本上沿着列方向延伸并且分别连接到第 一单位像素和第二单位像 素；以及第一电荷控制线，基本上沿着行方向延伸并且具有布置在 其端子部分的电荷控制4册极电压输入焊盘。第 一栅4及线连4妄到第一 单位像素以及第二栅极线连接到第二单位像素，并且第 一栅极线和 第二才册才及线同时^妾收相同的选通脉冲(gate pulse )。第 一单位像素连接到第 一数据线，以及第二单位像素连接到第 二数据线。第一单位像素包括第一子像素和第二子像素，第一栅极线电连 接到第一子像素和第二子像素，以及第一电荷控制线电连接到第一 子像素和第二子像素中的至少一个。第一子像素包括第一像素电极和第一薄膜晶体管(TFT)，该 第 一薄膜晶体管被配置为基于由第 一栅极线供给该第一 TFT的栅极 导通电压将第一数据线的信号施加给第一像素电极。第二子像素包括第二像素电极、被配置为基于由栅极线供给第 二 TFT的栅极导通电压将第 一数据线的信号施加给第二像素电极的 第二TFT、电荷控制电极、以及配置为基于第一电荷控制线的电荷控制栅极导通电压将第二像素电极电连接到电荷控制电极的电荷控 制晶体管。显示装置可以进一 步包括电连接到第二单位像素的第二电荷控 制线。电荷控制晶体管电连4妄到向下充电电容器(charge down capacitor),该向下充电电容器的第一电极为电荷控制电极，以及基 于向下充电电容器的操作，用不同的电压为第一子像素和第二子像 素充电。单位像素包括基本上沿着列方向延伸的存储线，并且该存4诸线 包括与电荷控制电才及的至少一部分重叠的突出部分。第 一栅极线可以布置在第 一单位像素上。第 一栅极线的第 一 区域与第 一像素电极的 一部分重叠以及第二 栅极线的第二区域与第二像素电极的一部分重叠。第 一 区域的大小 等于第二区域的大小。第一子像素和第二子像素包括多个》兹畴(domain)区，并且多 个石兹畴区的》兹畴区中液晶的晶向是不同的。第一单位像素可以包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电 才及；布置在4册电才及上的4册才及绝纟彖层和有源层；以及布置在有源层上 的源电才及和漏电4及中的一个。有源层布置在第一凄t据线下面，并且 有源层的形状基本上与第 一数据线的形状相同。根据本专利技术的选择性的示例性实施例，提供了 一种驱动显示装 置的方法。该显示装置包括多个单位像素，排列为具有像素列和 像素行的矩阵，多个单位像素包括布置在第一像素列和第一像素行中的第 一单位像素，以及布置在第 一像素列和与第 一像素行相邻的 第二像素行中的第二单位像素。该显示装置进一步包括第 一栅极线 和第二4册极线，基本上沿着行方向延伸并且每个均具有布置在其各自的端子部分的栅极电压输入焊盘；第一数据线和第二数据线，基 本上沿着列方向延伸并且分别连接到第一单位像素和第二单位像 素；以及电荷控制线，基本上沿着行方向延伸，具有布置在其端子 部分的电荷控制4册极电压输入焊盘并且电连接到第 一单位像素。该 方法包括将栅极导通电压同时施加给第 一栅极线和第二栅极线； 用由第一数据线供给的灰度电压为第一单位像素充电；将栅极截止 电压施加给第 一栅极线和第二栅极线；以及通过将电荷控制栅极导 通电压施加给电荷控制线来改变充入第一单位像素的第一子像素中 的灰度电压的值。将棚4及截止电压同时施加给第 一栅4及线和第二栅4及线以及将电 荷控制栅极导通电压施加给电荷控制线是可以同时才丸行的。将栅极截止电压同时施加给第一栅极线和第二栅极线达预定时 间之后，可以#1^亍将4册4及导通电压施加给电荷控制线。用第 一数据线所供给的灰度电压为第 一单位^象素充电可以包 括用相同的灰度电压电平为第一单位像素的第一子像素和第二子 像素充电。改变充电到第一子像素中的灰度电压的值可以包括通过导通 连接到电荷控制线的电荷控制晶体管将向下充电电容器电连接到第 一子像素。10附图说明通过参考附图，进一步详细地描述本专利技术的示例性实施例，本 专利技术的上述以及其他方面、特征和优点将变得更显而易见，在附图中图1是根据本专利技术的示例性实施例的显示装置的示意性平面图2是冲艮据图1中示出的本专利技术的示例性实施例的显示装置的 示意性电路图3是才艮据图1中示出的本专利技术的示例性实施例的显示装置的 平面图4是沿图3的线IV-IV，所取的部分横截面图5到7是示出了根据本专利技术的示例性实施例的制造薄膜晶体 管(TFT)衬底的方法的步骤的平面图8是沿图5的线VIII-Vin，所取的部分横截面图9是沿图6的线IX-IX，所取的部分横截面图；以及图IO是沿图7的线X-X'所取的部分横截面图。具体实施例方式现在将参考附图在下文中更充分地描述本专利技术，其中，在附图 中示出了本专利技术的示例性实施例。然而，本专利技术可以通过i午多不同 的方式体现并不应理解为限于文中所列出的实施例。相反，提供这 些实施例以使本公开变得全面和完整，并且将充分地为本领域的技术人员传达本专利技术的范围。全文中，相似的参考标号涉及相似的元 件。应当理解，当一个元fN皮称为在另一个元件上时，其 可以是直接在其他元件上或在其中可以出现插入元件。相反，当一 个元件被称为直接在另一元件上时，则不出现插入元件。如 文中所使用的，术语和/或包括列出的相关项中的一个或多个的 任意和全部组合。应当理解，尽管文中可以^吏用术语第一、第二、第三，， 等来描述不同的元件、部件、区、层和/或部，^f旦这些元件、部件、 区、层和/或部不应#皮这些术语所限制。这些术i吾^f又用于将一个元件、 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：　多个单位像素，排列为具有像素列和像素行的矩阵，所述多个单位像素包括：　第一单位像素，布置在第一像素列和第一像素行中；以及　第二单位像素，布置在所述第一像素列和相邻于所述第一像素行的第二像素行中；　 　第一栅极线和第二栅极线，各自基本上沿着行方向延伸并且各自具有布置在其端子部分处的栅极电压输入焊盘；　第一数据线和第二数据线，各自基本上沿着列方向延伸并且分别连接到所述第一单位像素和所述第二单位像素；以及　第一电荷控制线，基本上 沿着所述行方向延伸，具有布置在其端子部分的电荷控制栅极电压输入焊盘并且电连接到所述第一单位像素，　其中，　所述第一栅极线连接到所述第一单位像素以及所述第二栅极线连接到所述第二单位像素，以及　所述第一栅极线和所述第二栅极线同 时接收相同的选通脉冲。

【技术特征摘要】
KR 2008-8-11 10-2008-00782521.一种显示装置，包括多个单位像素，排列为具有像素列和像素行的矩阵，所述多个单位像素包括第一单位像素，布置在第一像素列和第一像素行中；以及第二单位像素，布置在所述第一像素列和相邻于所述第一像素行的第二像素行中；第一栅极线和第二栅极线，各自基本上沿着行方向延伸并且各自具有布置在其端子部分处的栅极电压输入焊盘；第一数据线和第二数据线，各自基本上沿着列方向延伸并且分别连接到所述第一单位像素和所述第二单位像素；以及第一电荷控制线，基本上沿着所述行方向延伸，具有布置在其端子部分的电荷控制栅极电压输入焊盘并且电连接到所述第一单位像素，其中，所述第一栅极线连接到所述第一单位像素以及所述第二栅极线连接到所述第二单位像素，以及所述第一栅极线和所述第二栅极线同时接收相同的选通脉冲。2. 根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一单位^f象素连接到所述第一数据线，以及 所述第二单位像素连接到所述第二数据线。3. 根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第 一单位像素包括第 一子像素和第二子像素， 所述第一栅极线电连接到所述第一子像素和所述第二子4象素；以及所述第 一 电荷控制线电连接到所述第 一子像素和所述第 二子像素中的至少一个。4. 根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一子像素包括第一像素电极；以及第一薄膜晶体管，被配置为基于由所述第一栅极线供给所 述第 一薄膜晶体管的栅极导通电压将所述第 一数据线的信号 施加给所述第 一像素电极。5. 根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二子像素包括第二像素电极；第二薄膜晶体管，被配置为基于由所述第一栅极线供给所 述第二薄膜晶体管的所述栅极导通电压将所述第一^:据线的信号施加给所述第二像素电极； 电荷控制电极；以及电荷控制晶体管，被配置为基于所述第一电荷控制线的电 荷控制栅极导通电压将所述第二像素电极电连接到所述电荷 4空制电才及。6. 根据权利要求5所述的显示装置，进一步包括连接到所述第二 单位像素的第二电荷控制线。7. 根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述电荷控制晶体管 电连接到向下充电电容器，所述向下充电电容器的第一电极包 括所述电荷控制电极，以及基于所述向下充电电容器的操作，用不同的电压为所述第 一子像素和所述第二子像素充电。8. 根据权利要求7所述的显示装置，其中所述第一单位像素包括基本上沿着所述列方向延伸的存 4诸线，以及所述存储线包括与所述电荷控制电极的至少 一 部分重叠 的突出部分。9. 根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一栅极线布置 在所述第一单位像素上。10. 根据权利要求9所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李浚表，孙宣圭，申玉权，金钲沅，崔喜轸，金相洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]