【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及可控硅整流器，具体涉及一种同时适用于高低温应用的可控硅整流器器件及等效的可控硅整流器电路。
技术介绍
1、可控硅整流器（silicon controlled rectifier，scr）是一种新兴的静电放电（electrostatic discharge，esd）防护器件。scr最大的特点是具有极强的泄放能力，可以为电路提供更低的钳位电压（clamp voltage）。
2、常规型scr器件的anode（阳极）→cathode（阴极）的电路等效图如图1（a）所示，该电路由npn、pnp三极管以及scr通路组成。以附图1（a）为例，scr器件的导通机理详细描述如下：
3、当esd电流由阳极流入阴极后，pnp三极管和npn三极管的集电结，会率先发生雪崩击穿，产生电子电流和空穴电流，分别经电阻rn阱和电阻rp阱流经到器件阳极和阴极。又由于电阻rn阱会使阳极与pnp基极产生电位差，从而加速了pnp三极管的正向导通。同理，rp阱产生的压降作用于npn三极管基极，加速了npn三极管的正向导通。当npn三极管和p...
【技术保护点】
1.一种同时适用于高低温应用的可控硅整流器器件，其特征在于：包括第一导电类型衬底，设置在第一导电类型衬底上的第一导电类型阱区和第二导电类型阱区，其中，
2.根据权利要求1所述的同时适用于高低温应用的可控硅整流器器件，其特征在于：还包括设置在所述第一导电类型阱区内的第一导电类型有源区，所述第一端口通过所述第一导电类型有源区分别与所述第一有源区内的第一导电类型分割块和第二导电类型分割块相连。
3.根据权利要求2所述的同时适用于高低温应用的可控硅整流器器件，其特征在于：还包括设置在所述第二导电类型阱区内的第二导电类型有源区，所述第二端口通过所述第二导...
【技术特征摘要】
1.一种同时适用于高低温应用的可控硅整流器器件，其特征在于：包括第一导电类型衬底，设置在第一导电类型衬底上的第一导电类型阱区和第二导电类型阱区，其中，
2.根据权利要求1所述的同时适用于高低温应用的可控硅整流器器件，其特征在于：还包括设置在所述第一导电类型阱区内的第一导电类型有源区，所述第一端口通过所述第一导电类型有源区分别与所述第一有源区内的第一导电类型分割块和第二导电类型分割块相连。
3.根据权利要求2所述的同时适用于高低温应用的可控硅整流器器件，其特征在于：还包括设置在所述第二导电类型阱区内的第二导电类型有源区，所述第二端口通过所述第二导电类型有源区分别与所述第二有源区内的第一导电类型分割块和第二导电类型分割块相连。
4.根据权利要求3所述的同时适用于高低温应用的可控硅整流器器件，其特征在于：所述第一导电类型有源区、第一有源区、第二有源区、第二导电类型有源区的形状相同，并列设置在所述第一导电类型衬底上。
5.根据权利要求1-4任一项所述的同时适用于高低温应用的可控硅整流器器件，其特征在于：所述硅化物阻挡层的形状为长条状，横向贯穿设置在所述第一导电类型分割块或第二导电类型分割块的中部，所述第一导电类型分割块或第二导电类型分割块上表面的重掺杂块被分割为上下两部分，上下两部分分别通过金属互联线与相应端口电性连接。
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜飞波，李菀婷，王旭耀，侯飞，高东兴，
申请(专利权)人：深圳市晶扬电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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