【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体涉及一种研磨垫、研磨设备及研磨方法。
技术介绍
1、在集成电路的制造过程中，随着特征尺寸的缩小和金属互连层数的增加，对晶圆表面平整度的要求也越来越高。目前，化学机械抛光是最有效的全局平坦化技术。
2、半导体晶圆磨抛工艺通常需要经过粗磨、精磨、粗抛及精抛等多个工艺段，其中每个工艺段需要使用不同的研磨垫(pad)，且半导体晶圆需要在不同的工艺段和工艺设备中流转，不仅耗时很长，加工效率低下，而且加工质量影响因素繁杂，产品品质难以控制。
3、需要说明的是，上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
4、申请内容
5、基于此，本申请实施例提供了一种研磨垫、研磨设备及研磨方法，可以减少研磨耗时，简化工艺步骤，有效提升研磨效率和产品良率。
6、根据一些实施例，本申请一方面提供了一种研磨垫，所述研磨垫的工作表面上设有凸出所述工作表面的研磨颗粒；
7、所述研磨垫的所述工作表面至少包括...
【技术保护点】
1.一种研磨垫，其特征在于，所述研磨垫的工作表面上设有凸出所述工作表面的研磨颗粒；
2.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫的所述工作表面包括由外向内的多个封闭环状区域；其中，所述研磨颗粒在多个所述封闭环状区域的粒度由外向内依次递减。
3.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫的所述工作表面包括由外向内的多个封闭环状区域；其中，所述研磨颗粒在多个所述封闭环状区域的粒度由外向内依次递增。
4.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述第一区域包括由外向内的多个第一半封闭环状区域，所述第二区域包括由外向内的多...
【技术特征摘要】
1.一种研磨垫，其特征在于，所述研磨垫的工作表面上设有凸出所述工作表面的研磨颗粒；
2.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫的所述工作表面包括由外向内的多个封闭环状区域；其中，所述研磨颗粒在多个所述封闭环状区域的粒度由外向内依次递减。
3.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫的所述工作表面包括由外向内的多个封闭环状区域；其中，所述研磨颗粒在多个所述封闭环状区域的粒度由外向内依次递增。
4.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述第一区域包括由外向内的多个第一半封闭环状区域，所述第二区域包括由外向内的多个第二半封...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘聪，储郁冬，王甄，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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