具有超薄缓冲层结构的复合衬底及其制备方法、紫外发光器件技术

一种具有超薄缓冲层结构的复合衬底及其制备方法、紫外发光器件，属于复合材料领域。复合衬底包括衬底、以及形成于衬底表面的超薄缓冲层结构，超薄缓冲层结构包括：形成于衬底的表面的第一单晶氮化铝薄膜，形成于第一单晶氮化铝薄膜上的Al<subgt;0.55</subgt;Ga<subgt;0.45</subgt;N/AlN超晶格结构缓冲层，以及形成于超晶格结构缓冲层的表面的第二单晶氮化铝薄膜；第一单晶氮化铝薄膜、超晶格结构缓冲层及第二单晶氮化铝薄膜的应力状态均为张应力。复合衬底通过缓冲层结构的变化实现缓冲层整体呈张应力且厚度大幅度减薄，使其不仅能够进行紫外发光器件的外延制备，而且能够降低紫外发光器件的制备难度及制备成本，提高产品质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及复合材料领域，具体而言，涉及一种具有超薄缓冲层结构的复合衬底及其制备方法、紫外发光器件。

技术介绍

1、紫外发光技术，尤其是深紫外发光技术的问世极大的促进了深紫外杀菌技术的发展。而实现高结晶质量的高铝组分algan薄膜则是实现深紫外发光二极管(uvc-led)外延技术的关键前提条件，众所周知，蓝宝石以其高紫外透过率与廉价优势成为algan深紫外发光二极管最常用的衬底，但algan材料与蓝宝石衬底具有较大的晶格失配，因此往往需要通过厚达若干微米(通常为2-3μm)的氮化铝缓冲层来湮灭位错，而氮化铝生长温度高，对设备的损耗偏大，且具有高能耗、成品率低等一系列特点，因此如何降低氮化铝缓冲层的厚度，将成为实现低成本深紫外led的最直接方案。

技术实现思路

1、本申请提供了一种具有超薄缓冲层结构的复合衬底及其制备方法、紫外发光器件，该复合衬底通过缓冲层结构的变化实现缓冲层整体呈张应力且厚度大幅度减薄，使其能够进行紫外发光器件的外延制备，且能够降低紫外发光器件的制备难度及制备成本，提高产品质量。

2本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有超薄缓冲层结构的复合衬底，其特征在于，包括衬底以及形成于所述衬底的表面的超薄缓冲层结构，所述超薄缓冲层结构的厚度为100nm-150nm；

2.根据权利要求1所述的具有超薄缓冲层结构的复合衬底，其特征在于，所述第一单晶氮化铝薄膜的厚度为30nm-100nm。

3.根据权利要求1所述的具有超薄缓冲层结构的复合衬底，其特征在于，所述第一单晶氮化铝薄膜的厚度为40nm-60nm。

4.根据权利要求1所述的具有超薄缓冲层结构的复合衬底，其特征在于，所述超晶格结构缓冲层的厚度为20nm-40nm。

5.根据权利要求1所述的具有超薄缓冲层结...

【技术特征摘要】

1.一种具有超薄缓冲层结构的复合衬底，其特征在于，包括衬底以及形成于所述衬底的表面的超薄缓冲层结构，所述超薄缓冲层结构的厚度为100nm-150nm；

2.根据权利要求1所述的具有超薄缓冲层结构的复合衬底，其特征在于，所述第一单晶氮化铝薄膜的厚度为30nm-100nm。

3.根据权利要求1所述的具有超薄缓冲层结构的复合衬底，其特征在于，所述第一单晶氮化铝薄膜的厚度为40nm-60nm。

4.根据权利要求1所述的具有超薄缓冲层结构的复合衬底，其特征在于，所述超晶格结构缓冲层的厚度为20nm-40nm。

5.根据权利要求1所述的具有超薄缓冲层结构的复合衬底，其特征在于，所述单晶al0.55ga0.45n缓冲层的厚度为1nm-2nm，所述单晶aln缓冲层的厚度为1nm-2nm。

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新强，卢同心，袁冶，曹家康，万文婷，李泰，罗巍，
申请(专利权)人：松山湖材料实验室，
类型：发明
国别省市：