二氧化钛薄膜的制备方法技术

技术编号:4260150 阅读:201 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术是一种二氧化钛薄膜的制备方法,包括:首先,提供一真空腔体,此真空腔体中具有二氧化钛靶材与晶座,其中晶座上放置有塑料基材。接着,填充1~10Pa的等离子体气体到真空腔体,此等离子体气体是由氩气与氧气所组成。前述氩气与氧气的流量比为9∶1~7∶1。最后,再利用溅镀法形成锐钛矿晶相的二氧化钛层于塑料基材上,其中在该溅镀过程中该塑料基材温度维持在50~180℃。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种薄膜的制备方法,且特别是有关于一种。
技术介绍
二氧化钛由于具有防雾、抗污、除臭等特性,目前已广泛地应用于日常生活中。上 述的二氧化钛通常会以喷洒、涂布等加工方式形成于日用品或织物的表面,以使其具有上 述的附加功能,且为了使二氧化钛具有上述的特性,所使用的二氧化钛需为具有锐钛矿(anatase)晶相的二氧化钛。 上述以喷洒或涂布的方式所形成的二氧化钛薄膜,通常会面临二氧化钛薄膜与塑 料类的日用品的接着牢度不佳的情形。目前市面上亦有人提出以溶胶-凝胶法(sol-gel method)形成二氧化钛薄膜于塑料基材上,但这类作法所形成的二氧化钛薄膜通常不具锐 钛矿晶相;亦或虽具锐钛矿晶相但却需经过高温烧结的工艺而导致塑料基材在高温下被破 坏。 为解决上述的问题,亦有人以溅镀的方式形成二氧化钛薄膜。但就目前所使用的 二氧化钛溅镀工艺而言,通常需将待溅镀物的温度维持在20(TC以上,方能形成具有锐钛矿 晶相的二氧化钛薄膜。再者,在溅镀过程中,基材会因等离子体离子的轰击而导致基材温度 的上升。在此情形下,待溅镀物的耐热温度需高于20(TC,导致待溅镀物的选择受到限制。 因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二氧化钛薄膜的制备方法,至少包含:  提供一真空腔体,该真空腔体中具有二氧化钛靶材与一晶座,其中该晶座上放置有一塑料基材;  填充1~10Pa的一等离子体气体到该真空腔体,该等离子体气体是由氩气与氧气所组成,其中该氩气与该氧气的流量比为9∶1至7∶1;以及  利用溅镀法形成锐钛矿晶相的二氧化钛层于该塑料基材上,其中在该溅镀过程中将该塑料基材温度维持在50~180℃。

【技术特征摘要】
一种二氧化钛薄膜的制备方法,至少包含提供一真空腔体,该真空腔体中具有二氧化钛靶材与一晶座,其中该晶座上放置有一塑料基材;填充1~10Pa的一等离子体气体到该真空腔体,该等离子体气体是由氩气与氧气所组成,其中该氩气与该氧气的流量比为9∶1至7∶1;以及利用溅镀法形成锐钛矿晶相的二氧化钛层于该塑料基材上,其中在该溅镀过程中将该塑料基材温度维持在50~180℃。2. 根据权利要求1所述的二氧化钛薄膜的制备方法,其特征在于该二氧化钛靶材与该 塑料基材的距离约为80 100毫米。3. 根据权利要求1所述的二氧化钛薄膜的制备方法,其特征在于该塑料基材为一透明 基材。4. 根据权利要求3所述的二氧化钛薄膜的制备方法,其特征在于该透明基材是选自于 由聚萘二甲酸乙二酯基材、聚碳酸酯基材及聚对苯二甲酸乙二酯基材所构成的族群。5. 根据权利要求1所述的二氧化钛薄膜的制备方法,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡瑞楷陈宏昌林文婷
申请(专利权)人:财团法人纺织产业综合研究所
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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