【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，特别涉及一种量子点转印方法及qled制备方法。
技术介绍
1、新兴的量子点作为一种重要的半导体结构，其制成的量子点发光二极管(qled)拥有高量子效率、低成本、色域广等优势，在高精度显示器件领域有着极大应用前景。在显示器件中，每一个像素都需要rgb三原色发光区块。将多个区块部件与多个像素组合成一块屏幕的工艺步骤称之为阵列化。目前，高端的显示器件通常会追求高分辨率与轻薄成品，这也就产生了对于高精度像素薄膜阵列化的需求。在高精度像素阵列化的传统方法中，例如电沉积法、光刻法等，都对器件基板处理有着高要求，喷墨打印法则难以实现高精度打印。而相较于上述方法，转移打印法更适用于高精度阵列化工艺。
2、转移打印的特点在于像素材料先在非基板环境下完成薄膜阵列化，然后通过转印头移植至器件基板上制成led。如此，基板既不需要大面积的图案化处理，也不需要长期稳定地保持在像素材料成膜环境中。也就是说，转印法对基板处理要求不高，像素材料可在非基板环境下阵列化后转移，有着更高的灵活性。图案化处理与薄膜制成分离在转印头与转印材料...
【技术保护点】
1.一种量子点转印方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，所述第一配体为油酸配体，所述第二配体为羟基配体。
3.根据权利要求2所述的量子点转印方法，其特征在于，所述对第一量子点进行水处理和加热处理，得到难溶于极性与非极性溶剂的第二量子点，包括：
4.根据权利要求2所述的量子点转印方法，其特征在于，所述加热处理的加热时长为30-80min。
5.根据权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，所述将所述第一量子点制成第一薄膜，包括：
6.根据权利要求1所述的量子点转印方法，...
【技术特征摘要】
1.一种量子点转印方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，所述第一配体为油酸配体，所述第二配体为羟基配体。
3.根据权利要求2所述的量子点转印方法，其特征在于，所述对第一量子点进行水处理和加热处理，得到难溶于极性与非极性溶剂的第二量子点，包括：
4.根据权利要求2所述的量子点转印方法，其特征在于，所述加热处理的加热时长为30-80min。
5.根据权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，所述将所述第一量子点制成...
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