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本发明公开了一种量子点转印方法及QLED制备方法，该转印方法包括：对第一量子点进行水处理和加热处理，得到难溶于极性与非极性溶剂的第二量子点；其中，所述第一量子点具有第一配体，第二量子点具有第二配体；将所述第一量子点制成第一薄膜，以及将所述第...
该专利属于深圳技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳技术大学授权不得商用。

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