【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有半导体激光构件的激光器设备。
技术介绍
1、由于近年来在垂直发射半导体激光器(所谓的vcsel，vertical cavity surfaceemitting laser，垂直腔面发射激光器)中的功率密度提高，可能的是，以最大功率从芯片中发射激光，该功率达到激光器安全性的界限。在此，对于用于在可见光光谱和近红外光光谱的范围(400nm至1050nm)中的激光器的激光器安全性而言，如果激光源是扩展光源，则表观光源的尺寸是重要的(参见iec 60825-1:2014第4.3.d段)。所允许的激光器功率随着参数c6的增加而线性地增加，该参数随着激光源的表观光源尺寸alpha(参见iec 60825-1:2014第4.3.d段)的平均边长的增加而线性地增加，如果该平均边长位于1.5mrad至100mrad的范围中的话。如果小于1.5mrad，则激光器被视为点源并且所允许的激光器功率不再取决于激光器尺寸。在此重要的是，在没有光学器件的情况下，在半导体激光器芯片上的发射面确定表观光源尺寸，但是在完美的漫射体(diffusor)...
【技术保护点】
1.激光器设备(10)，所述激光器设备具有半导体激光器构件(12)并且具有光学器件装置(19)，所述半导体激光器构件具有激光器阵列(14)，所述激光器阵列具有多个半导体激光器(13)，所述半导体激光器垂直地发射激光(16)，所述光学器件装置具有至少一个第二光学器件元件和布置在所述第二光学器件元件(22)与所述激光器阵列(22)之间的第一光学器件元件(21)，所述第二光学器件元件和所述第一光学器件元件沿着光学器件轴线(24)布置，其中，所述光学器件装置(19)设置为用于扩宽从所述半导体激光器(18)中发射的激光(16)、用于准直被所述第一光学器件元件(21)扩宽的激光(...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.激光器设备(10)，所述激光器设备具有半导体激光器构件(12)并且具有光学器件装置(19)，所述半导体激光器构件具有激光器阵列(14)，所述激光器阵列具有多个半导体激光器(13)，所述半导体激光器垂直地发射激光(16)，所述光学器件装置具有至少一个第二光学器件元件和布置在所述第二光学器件元件(22)与所述激光器阵列(22)之间的第一光学器件元件(21)，所述第二光学器件元件和所述第一光学器件元件沿着光学器件轴线(24)布置，其中，所述光学器件装置(19)设置为用于扩宽从所述半导体激光器(18)中发射的激光(16)、用于准直被所述第一光学器件元件(21)扩宽的激光(16)并且用于成形经准直的激光(16)的射束轮廓。
2.根据权利要求1所述的激光器设备(10)，其特征在于，从被照亮的面(34)的至少两个地点出发的激光(16)被偏转到在所述光学器件装置之外被照明的区域的至少一个空间角度范围上，使得对于所有空间角度而言都满足标准iec 60825-1:2014 4.3.d的条件，所述被照亮的面是通过所述激光(16)在所述光学器件装置(19)的设置为用于成形的光学器件元件(21、22、23)上产生的。
3.根据权利要求1或2所述的激光器设备(10)，其特征在于，所述第一光学器件元件(21)是散射透镜，所述散射透镜关于所述激光(16)的光学器件轴线(24)完全覆盖所述半导体构件(12)的整个激光器阵列(14)。
4.根据上述权利要求中任一项所述的激光器设备(10)，其特征在于，所述第一光学器件元件(21)这样扩宽所述激光(16)，使得半导体激光器(18)的激光(16)的半值角度大于10°。
5.根据上述权利要求中任一项所述的激光器设备(10)，其特征在于，所述第一光学器件元件(21)与所述半导体构件(18)一件式地构造。
6.根据上述权利要求中任一项所述的激光器设备(10)，其特征在于，所述第一光学器件元件(21)具有由折射透镜组成的透镜阵列(30)，所述折射透镜分别配属于半导体激光器(18)，所述折射透镜具有对称轴线(26)，所述对称轴线相对于所述半导体激光器(18)的法线轴线(28)错位，其中，所述对称轴线(26)和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·J·门希，S·格罗嫩博恩，S·弗赖瓦尔德，T·迪茨，
申请(专利权)人：通快光电器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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