【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及根据权利要求1、2和3的垂直发射半导体激光器件。此外，本专利技术还涉及根据权利要求9的阵列和根据权利要求15的芯片。
技术介绍
1、偏振激光辐射例如应用于传感和照明领域。为此所需的激光功率通常需要一个具有多个垂直发射半导体激光器件和/或众多台面(mesa)的阵列。对于从垂直发射半导体激光器件(特别是“垂直腔面发射激光器，vertical-cavity surface-emitting laser”，简称vcsel)和/或vcsel阵列发射的偏振激光辐射的应用，如果所有台面发射的激光束的偏振方向相同，则是有利的。迄今为止，表面光栅仅用于稳定单个台面的所需偏振，而多个台面的偏振则被忽略。
2、尽管多个台面具有相同的表面光栅，但在实验中观察到，阵列中的一些台面发射具有相对于表面光栅旋转的偏振的光。此外，还发现阵列和/或单个台面发射的激光辐射的偏振方向相对于平均值或偏振方向的目标位置旋转了几度。这导致偏振度和对比度在不同应用中以不利的方式下降。
技术实现思路
1、基于此，...
【技术保护点】
1.垂直发射半导体激光器件(1)，具有：
2.垂直发射半导体激光器件(1)，具有：
3.垂直发射半导体激光器件(1)，具有：
4.根据前述权利要求中任一项的垂直发射半导体激光器件(1)，所述垂直发射半导体激光器件包括其他接通部开口(4')，所述其他接通部开口沿所述优选方向(5)布置。
5.根据前述权利要求中任一项的垂直发射半导体激光器件(1)；其中
6.根据前述权利要求的垂直发射半导体激光器件(1)，其中，两个相对置的接通部连接端(9,9',9”,9”')基本上尺寸相同。
7.根据前述权利要求中任...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.垂直发射半导体激光器件(1)，具有：
2.垂直发射半导体激光器件(1)，具有：
3.垂直发射半导体激光器件(1)，具有：
4.根据前述权利要求中任一项的垂直发射半导体激光器件(1)，所述垂直发射半导体激光器件包括其他接通部开口(4')，所述其他接通部开口沿所述优选方向(5)布置。
5.根据前述权利要求中任一项的垂直发射半导体激光器件(1)；其中
6.根据前述权利要求的垂直发射半导体激光器件(1)，其中，两个相对置的接通部连接端(9,9',9”,9”')基本上尺寸相同。
7.根据前述权利要求中任一项的垂直发射半导体激光器件(1)；包括沟槽(8)，所述沟槽至少部分围绕所述台面(2)；
8.根据前述权利要求中任一项的垂直发射半导体激光器件(1)，其中，所述接通部(3)的曲线走向与所述台面(2)的曲线走向一致。
9.阵列(10)，包括多个垂直发射半导体激光器件(1)，所述多个垂直发射半导体激光器件中的至少一个垂直发射半导体激光器件(1)、优选所有垂直发射半导体激光器件(1)根据前述权利要求中任一项构造。...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·J·门希，S·巴德尔，A·魏格尔，M·赫佩尔，
申请(专利权)人：通快光电器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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