【技术实现步骤摘要】
与本公开的示例实施方式一致的装置和方法涉及具有背侧隔离结构和占位体隔离结构的半导体器件。
技术介绍
1、在包括形成在衬底上的多个有源器件(例如，晶体管)和无源器件(例如，pn结二极管)的半导体器件中，浅沟槽隔离(sti)结构分离或隔离两个相邻器件以抑制其间的电流泄漏。包括氧化物材料的sti结构掩埋在衬底中形成的深且窄的沟槽中。在衬底中形成sti结构需要在高温下的长氧化时间，这增加了半导体器件的制造成本。在本文中，隔离可以指电绝缘。
2、此外，当在包括三维堆叠场效应晶体管(3dsfet)的半导体器件中形成sti结构时，sti工艺变得更加复杂。3dsfet包括下部场效应晶体管和堆叠在下部场效应晶体管之上的上部场效应晶体管，其中每个场效应晶体管可以是鳍式场效应晶体管(finfet)、纳米片晶体管等。finfet具有一个或更多个水平布置的垂直鳍结构作为沟道结构，该沟道结构的至少三个表面被栅极结构围绕，并且纳米片晶体管的特征在于垂直堆叠在衬底上作为沟道结构的一个或更多个纳米片沟道层、以及围绕每个纳米片沟道层的所有四个表面的栅极结构。纳...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一占位体隔离结构和所述背侧隔离结构具有不同的材料组分。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一占位体隔离结构包括硅氮化物，并且所述背侧隔离结构包括硅氧化物。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中界面形成在所述背侧隔离结构与所述第一占位体隔离结构之间。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述背侧隔离结构和所述第一占位体隔离结构包括相同的材料组分。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
7.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一占位体隔离结构和所述背侧隔离结构具有不同的材料组分。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一占位体隔离结构包括硅氮化物，并且所述背侧隔离结构包括硅氧化物。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中界面形成在所述背侧隔离结构与所述第一占位体隔离结构之间。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述背侧隔离结构和所述第一占位体隔离结构包括相同的材料组分。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一占位体隔离结构和所述第二占位体隔离结构中的每个包括与所述背侧隔离结构中包括的材料不同的材料。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一占位体隔离结构和所述第二占位体隔离结构中的每个包括硅氮化物，并且所述背侧隔离结构包括硅氧化物。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域中的至少一个是堆叠场效应晶体管的下部源极/漏极区域，所述堆叠场效应晶体管包括所述下部源极/漏极区域和堆叠在所述下部源极/漏极区域之上的上部源极/漏极区域。
10.根据权利要...
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