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提供了一种半导体器件，包括：第一源极/漏极区域和第一背侧接触结构，第一背侧接触结构在第一源极/漏极区域正下方，连接到第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域和在第二源极/漏极区域正下方的第一占位体隔离结构；以及背侧隔离结构，在半导体器件的背侧...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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