半导体器件及其制造方法技术

技术编号:42551204 阅读:21 留言:0更新日期:2024-08-29 00:24
描述了一种半导体器件,包括有源图案、有源图案上的附加有源层、以及跨有源图案延伸的栅结构。附加有源层包括连接到有源图案的侧壁的底表面、以及在比底表面的水平高的水平处的上弯曲表面。附加有源层的晶格常数与有源图案的晶格常数不同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及一种半导体器件及其制造方法,并且更具体地,涉及一种包括有源图案的顶表面上的附加有源层的半导体器件及其制造方法。


技术介绍

1、半导体器件由于其小尺寸、多功能和/或低制造成本而在电子工业中具有重要作用。半导体器件可以被分类为存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件以及具有存储元件和逻辑元件两者的混合半导体器件中的任何一种。


技术实现思路

1、本专利技术构思的一些示例实施例提供了一种制造具有改进的电气特性的半导体器件的方法。

2、本专利技术构思的一些示例实施例提供了一种制造具有增加的可靠性的半导体器件的方法。

3、本专利技术构思的示例实施例不限于上述内容,并且根据以下描述,本领域技术人员将清楚地理解上面未提及的其他示例实施例。

4、根据本专利技术构思的一些示例实施例,一种半导体器件可以包括:有源图案;有源图案上的附加有源层;以及栅结构,跨有源图案延伸。附加有源层可以包括:底表面,连接到有源图案的侧壁;以及在比底表面的水平高的水平处的上弯本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

3.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:

4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述有源图案和所述附加有源层是在它们之间没有界面的单一整体。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:

9.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:

10.一种半导体器件,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

3.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:

4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述有源图案和所述附加有源层是在它们之间没有界面的单一整体。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:

9.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:

10.一种半导体器件,包括:

11.根据权利要求10所述的半导体器件,还包括:

12.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:许廷焕金昊炫罗睿真刘俊埴尹泰景郑有真崔溶俊
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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