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描述了一种半导体器件，包括有源图案、有源图案上的附加有源层、以及跨有源图案延伸的栅结构。附加有源层包括连接到有源图案的侧壁的底表面、以及在比底表面的水平高的水平处的上弯曲表面。附加有源层的晶格常数与有源图案的晶格常数不同。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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