【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及半导体领域，更具体地涉及使用ale和选择性沉积蚀刻衬底。相关申请的交叉引用本申请要求于2018年5月14日提交的、名称为“eliminatingyield impact ofstochastics in lithography”的美国专利申请no.15/979,340的权益，其要求于2017年5月16日提交的、名称为“eliminating yield impact of stochastics in euvlithography”的美国临时专利申请no.62/506,803的权益，其通过引用的方式将其整体并入并且用于所有目的。
技术介绍
1、图案化方法对于半导体处理至关重要。特别地，已经探索了极紫外(euv)光刻技术，以将光刻技术扩展到其光学极限之外，并取代当前的光刻方法来图案化小的关键尺寸特征。当前的euv光刻方法导致可能最终使衬底无用的差的边缘粗糙度和弱图案化。
2、这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的上下文的目的。目前所指名的专利技术人的工作，在该
技术介绍
部分中描述的程度以及本说明书的可能在...
【技术保护点】
1.一种处理半导体衬底的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过以下步骤执行所述原子层蚀刻：将所述衬底的所述暴露表面暴露于蚀刻物质并且在施加偏置的同时点燃等离子体以使所述衬底的所述暴露表面的表面改性并形成改性表面，以及将所述改性表面暴露于第二等离子体持续足以去除所述经修饰的表面的时间。
3.根据权利要求2所述的方法，其中当将所述改性表面暴露于所述第二等离子体时施加偏置。
4.根据权利要求2所述的方法，其中在没有溅射所述改性表面下面的材料的情况下蚀刻所述改性表面。
5.根据权利要求2所述的方法，其中将所...
【技术特征摘要】
1.一种处理半导体衬底的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过以下步骤执行所述原子层蚀刻：将所述衬底的所述暴露表面暴露于蚀刻物质并且在施加偏置的同时点燃等离子体以使所述衬底的所述暴露表面的表面改性并形成改性表面，以及将所述改性表面暴露于第二等离子体持续足以去除所述经修饰的表面的时间。
3.根据权利要求2所述的方法，其中当将所述改性表面暴露于所述第二等离子体时施加偏置。
4.根据权利要求2所述的方法，其中在没有溅射所述改性表面下面的材料的情况下蚀刻所述改性表面。
5.根据权利要求2所述的方法，其中将所述衬底的所述暴露表面暴露于所述蚀刻物质还包括引入选自由氦、氩、氖、氪和氙组成的组的稀释剂惰性气体。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底还包括与所述光致抗蚀剂相邻并在其下面的下层，并且优先沉积所述含碳材料，以便不沉积在所述下层的暴露区域上。
7.根据权利要求1所述的方法，其中当暴露于所述原子层蚀刻时，选择性地沉积在所述光致抗蚀剂上的所述含碳材料的蚀刻速率比所述光致抗蚀剂的蚀刻速率慢。
8.根据权利要求1所述的方法，其中在原子层蚀刻期间所述光致抗蚀剂的蚀刻速率比所述含碳材料的蚀刻速率快。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述原子层蚀刻各向异性地去除光致抗蚀剂。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一特征和所述第二特征中的沉积厚度取决于...
【专利技术属性】
技术研发人员：内德·莎玛，理查德·怀斯，游正义，萨曼莎·坦，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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