【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法、及掩膜版版图。
技术介绍
1、电容器通常是由两个隔离的金属片制成的。电容器广泛用于模拟电路和混合信号集成电路。金属-氧化物-金属(metal-oxdie-metal，mom)电容器由于其大电容而被广泛使用。
2、mom电容器是许多混合信号射频集成电路(rfic)(例如类比频率调谐电路、交换式电容器电路(switched capacitor circuits)、滤波器、共振器(resonator)、上调变(up-conversion)与下调变(down-conversion)混合器以及类比/数位转换器(a/d converters)等等)中相当关键的元件，起到内部匹配(inter-matching)作用，可以大大优化rfic的性能。
3、随着半导体工艺技术的发展，半导体器件越来越集成化，半导体器件的尺寸正在逐渐成比例缩小，其关键尺寸(cd，critical dimension)也变得越来越小，从而由于设计准则的限制，对mom电容器的结构具有不良
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述第一梳齿部和第二梳齿部之间的间隔均相等。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一梳柄部与多个第一梳齿部为一体结构；所述第二梳柄部与多个第二梳齿部为一体结构。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层的材料包括碳氧化硅、碳氢氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属层的材料包括铝、铜、氮化钛、钴和氮化钽中的一种或多种...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述第一梳齿部和第二梳齿部之间的间隔均相等。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一梳柄部与多个第一梳齿部为一体结构；所述第二梳柄部与多个第二梳齿部为一体结构。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层的材料包括碳氧化硅、碳氢氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属层的材料包括铝、铜、氮化钛、钴和氮化钽中的一种或多种；所述第二金属层的材料包括铝、铜、氮化钛、钴和氮化钽中的一种或多种。
6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在同一步骤中，在所述第一图形开口中形成第一金属层、以及在所述第二图形开口中形成第二金属层。
8.如权利要求6或7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供所述基底的步骤中，所述介电层和图形材料层之间还形成有第一掩膜层；
9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述图形材料层进行第一图形化处理的步骤包括：在不同步骤中，在所述图形材料层中形成第一梳柄开口和第一梳齿开口。
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴轶超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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