【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于薄膜太阳能电池
,涉及一种铜铟镓硒纳米线阵列及其制备方法与应用。
技术介绍
随着能源问题日益成为制约国际社会和中国经济发展的瓶颈,发展太阳能技术 已成为能源与材料研究领域最重要的课题之一,发展低成本、高效率、稳定性优良的光伏 电池势在必行(M. A. Green, Progress in Photovoltaics -Research andApplications 9123-35(2001))。薄膜半导体光伏电池被研究用来降低电池组件的制造成本,推动光 伏电池制造产业的发展(A. Barnett , A. Rothwarf , Thin-film solarcells :A unified analysis of their potential, IEEE Trans. Electron Devices 27 615-630(1980))。在 典型的薄膜平面电池设计中,光生载流子的收集跟材料对太阳光的吸收在一个方向上面, 光吸收材料的厚度至少要能保证吸收90%以上的入射太阳光(N. B. Raghu, M. F. Arturo, Culn卜xGaxSe2_based photovoltaic cells fromelectrod印osited precursor films, Solar Energy Materials and Solar Cells 76 331-337 (2003)),由于光生载流子在吸光 材料中要迁移足够长的距离才可到达pn结被有效地收集,所以这个厚度的要求也就给材 料的结晶质量和纯度增加了限制,因而增加了 ...
【技术保护点】
一种铜铟镓硒纳米线阵列,是按照包括如下步骤的方法进行制备的:1)在衬底上制备一层金属导电层;2)利用有序纳米模板作为生长掩膜,电化学沉积后退火热处理或电化学沉积后再硒化,之后再刻蚀所述生长掩膜至暴露出铜铟镓硒纳米线阵列,得到所述铜铟镓硒纳米线阵列;所述电化学沉积后退火热处理的方法是:以铂片作为阳极,金属导电层为阴极,饱和甘汞电极为参比电极,以含有Cu↑[2+]、In↑[3+]、Ga↑[3+]和Se↑[4+]的溶液作为电解质溶液,通电进行电化学沉积,沉积出的铜铟镓硒纳米线在真空、氩气气氛或含有硒的气氛下退火处理;所述电化学沉积后再硒化的方法是:以铂片作为阳极,金属导电层为阴极,饱和甘汞电极为参比电极,以含有Cu↑[2+]、In↑[3+]和Ga↑[3+]的溶液作为电解质溶液,通电进行电化学沉积,得到铜铟镓纳米线阵列,再在含有硒元素的气氛下进行硒化。
【技术特征摘要】
一种铜铟镓硒纳米线阵列,是按照包括如下步骤的方法进行制备的1)在衬底上制备一层金属导电层;2)利用有序纳米模板作为生长掩膜,电化学沉积后退火热处理或电化学沉积后再硒化,之后再刻蚀所述生长掩膜至暴露出铜铟镓硒纳米线阵列,得到所述铜铟镓硒纳米线阵列;所述电化学沉积后退火热处理的方法是以铂片作为阳极,金属导电层为阴极,饱和甘汞电极为参比电极,以含有Cu2+、In3+、Ga3+和Se4+的溶液作为电解质溶液,通电进行电化学沉积,沉积出的铜铟镓硒纳米线在真空、氩气气氛或含有硒的气氛下退火处理;所述电化学沉积后再硒化的方法是以铂片作为阳极,金属导电层为阴极,饱和甘汞电极为参比电极,以含有Cu2+、In3+和Ga3+的溶液作为电解质溶液,通电进行电化学沉积,得到铜铟镓纳米线阵列,再在含有硒元素的气氛下进行硒化。2. 根据权利要求l所述的阵列,其特征在于所述步骤l)中,所述构成衬底的材料为 玻璃或硅片;所述衬底中玻璃衬底的厚度为1. 2 3. 0毫米,硅片的厚度为0. 45 0. 55毫 米;所述构成金属导电层的材料选自Mo、W、Ta、Nb、Ti和Au中的至少一种;所述金属导电层 的厚度为500-2000纳米;所述步骤2)中,所述有序纳米模板的孔径为40-500纳米,优选50 250纳米,相邻孔 中心的间距为100-1000纳米,优选100 500纳米,厚度为50-8000纳米,优选500 5000 纳米;所述构成纳米模板的材料选自自阳极氧化铝模板、纳米压印制备后的光刻胶和经光 刻机曝光显影后的光刻胶中的至少一种;所述构成金属导电层的材料选自Mo、W、Ta、Nb、Ti 和Au中的至少一种。3. 根据权利要求1或2所述的阵列,其特征在于所述步骤1)中,所述制备金属导电 层的方法为磁控溅射方法或电子束蒸发法;所述磁控溅射方法中,溅射功率为80 140W, 优选100 120W ;溅射气压为0. 15 1. 4Pa ;所述步骤2)中,所述电化学沉积后退火热处理的方法中,所述电解质水溶液中,阴离 子选自硫酸铜、硫酸铟、氯化铜、氯化铟、氯化镓。硝酸镓和亚硒酸中的至少一种;CU2+、In3+、 Ga3+和Se4+的浓度分别为2 15毫摩尔/升、2 15毫摩尔/升、5 25毫摩尔/升和 2 15毫摩尔/升,以硫酸锂、氯化锂、硫酸钾和氯化钾中的至少一种溶液为支撑液,电化学 沉积的温度为室温,时间为20-90分钟,电压为-0. 5 -1. 2伏;所述退火步骤中,真空退火 的背景真空度为1. 0*10—3Pa 3. 0*10—卞a,退火温度为300 55(TC,退火时间为10 50 分钟;氩气退火的条件是背景真空为1. 0*10—3Pa 3. 0*10—3Pa,氩气气压为10 3000Pa, 退火温度为300 55(TC,退火时间为10 50分钟;硒气氛下退火的条件是背景真空为 1. 0*10—丄Pa 3. 0*10—中a,退火温度为300 55(TC,退火时间为10 50分钟;所述电沉积铜铟镓纳米线再硒化的方法中,所述电解质水溶液中,阴离子选自硫酸铜、 硫酸铟、氯化铜、氯化铟、氯化镓和硝酸镓中的至少一种;Cu2+、 Ir^和Ga3+的浓度分别为 2 15毫摩尔/升、2 15毫摩尔/升和5 25毫摩尔/升,以硫酸锂、氯化锂、硫酸钾 和氯化钾中的至少一种溶液为支撑液,电化学沉积的温度为室温,时间为20-90分钟,电压 为-0. 5 -1. 2伏;所述硒化步骤中,背景真空度为1. 0*10—中a 3. 0*10—屮a,硒化温度为 300 550°C ;所述刻蚀步骤中,刻蚀的方法为用氢氧化钠水溶液进行刻蚀或反应离子束刻蚀方法;其中,所述氢氧化钠水溶液的质量百分比浓度为1_8%,刻蚀的时间为l-10分钟,刻蚀的温 度为10-25°C ;所述反应离子束刻蚀方法中,刻蚀气体为氩气和CHF3的混合气体,其中,所述 氩气的流量为l-10sccm,优选5sccm,CHF3的流量为1_10CHF3的流量为4sccm,优选4sccm, 工作气压为200-300mTorr,优选250mTorr ;功率为200-300W,优选250W ;刻蚀的时间为 1-15分钟,优选10分钟;刻蚀的温度为10-25°C。4. 一种制备权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱长飞,张中伟,刘伟丰,
申请(专利权)人:中国科学技术大学,
类型:发明
国别省市:34[中国|安徽]
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