【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，特别是涉及一种液口距测量方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、单晶硅作为一种半导体材料，主要用于光伏和半导体等领域。现有技术中，单晶硅通常是在单晶炉中采用拉晶法制造，利用拉晶法将多晶硅原料提炼成单晶硅产品。
2、在单晶炉中采用拉晶法制造单晶硅的过程中，液口距为单晶炉内的导流筒下口(也即热屏下口)与单晶炉内的坩埚中熔硅液面之间的距离。在拉晶过程中，液口距的变化会直接影响拉出的晶棒中碳和氧的含量，碳、氧会在晶棒中形成代位碳、间隙氧杂质，利用含有上述杂质的晶棒制作太阳能电池产品，会影响光电转换效率、成品率和生产过程中的碎片率等。因此，如何测量拉晶过程中的液口距是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请实施例提出了一种液口距测量方法、装置、电子设备及存储介质，用以降低液口距测量的复杂度，提高液口距测量的效率。
2、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种液口距测量方法，所述方法包括：获取单晶炉内第一图像中的灭点；根据所述灭点...
【技术保护点】
1.一种液口距测量方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述灭点为垂直灭点，所述垂直灭点是指空间中垂直于地面的与成像平面不平行的平行线在图像上的交点；所述获取单晶炉内第一图像中的灭点，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取所述第一图像中代表晶棒侧面两条母线的第一直线和第二直线，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定所述第一图像中的亮环区域和热屏倒影区域，包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述获取所述第一亮环子区域的最高点和所述第...
【技术特征摘要】
1.一种液口距测量方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述灭点为垂直灭点，所述垂直灭点是指空间中垂直于地面的与成像平面不平行的平行线在图像上的交点；所述获取单晶炉内第一图像中的灭点，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取所述第一图像中代表晶棒侧面两条母线的第一直线和第二直线，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定所述第一图像中的亮环区域和热屏倒影区域，包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述获取所述第一亮环子区域的最高点和所述第二亮环子区域的最高点，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述灭点为垂直灭点，所述垂直灭点是指空间中垂直于地面的与成像平面不平行的平行线在图像上的交点，所述测量标尺为倾斜测量标尺；根据所述灭点获取测量标尺，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量标尺为倾斜测量标尺；所述标定所述测量标尺的刻度，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述计算所述第一交点对应的液口距，包括：
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述获取所述倾斜测量标尺上位于所述第一交点下方的多个第一参考点和所述多个第一参考点各自对应的液口距，包括：
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述获取所述倾斜测量标尺上位于所述第一交点下方的多个第一参考点和所述多个第一参考点各自对应的液口距，包括：
11.根据权利要求7至10中任一项所述的方法，其特征在于，所述获取所述单晶炉内第二图像中的目标点在所述测量标尺上对应的目标刻度，根据所述目标刻度确定所述第二图像对应的液口距，包括：
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述灭点为垂直灭点，所述垂直灭点是指空间中垂直于地面的与成像平面不平行的平行线在图像上的交点，所述测量标尺为垂直测量标尺；所述根据所述灭点获取测量标尺，包括：
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量标尺为垂直测量标尺；所述标定所述测量标尺的刻度，包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：权甲，郭力，王正远，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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