【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体制备，特别是涉及一种晶线状态确定方法、一种晶线状态确定装置、一种电子设备以及一种存储介质。
技术介绍
1、单晶硅材料的制备工艺以直拉法(czochralski process/cz)为主，利用直拉法将多晶硅原料提炼成单晶硅。在直拉单晶过程中生成棒状单晶硅晶体的过程分为装料、加热熔料、调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤。
2、其中，当多晶硅原料融化完成后，还不能马上开始引晶，因为这时的温度要高于引晶温度，还必须经过降温，将温度调整到引晶的温度。引晶是将事先装到钢丝绳末端的籽晶(也就是加工成一定形状的单晶)与液面接触，在引晶温度下，硅分子将沿着籽晶的晶格方向生长，从而形成单晶。放肩是将晶体直径逐步生长到生成所要求的直径，在放肩的过程中将拉出随着长度逐渐变长，直径逐渐变大到要求的直径左右的一段晶体，以便消除晶体位错。当晶体在放肩过程中生长到生产要求的直径后，进入转肩过程。转肩是将晶体直径控制在生产所要求的直径。当转肩完成后进入等径控制步骤，在该步骤中，通过对拉速和温度的自动控制，让晶体将按照设定的直径等径生
3本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶线状态确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述状态信息包括晶线是否发生断线，所述根据所述晶棒区域的边界和所述晶线区域的边界，确定单晶棒的晶线的状态信息，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在晶线发生断线的情况下，所述状态信息包括断线发生时长，所述根据所述晶棒区域的边界和所述晶线区域的边界，确定单晶棒的晶线的状态信息，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述状态信息包括实时晶线宽度和/或历史晶线宽度，所述根据所述晶棒区域的边界和所述晶线区域的边界，确定单晶棒的...
【技术特征摘要】
1.一种晶线状态确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述状态信息包括晶线是否发生断线，所述根据所述晶棒区域的边界和所述晶线区域的边界，确定单晶棒的晶线的状态信息，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在晶线发生断线的情况下，所述状态信息包括断线发生时长，所述根据所述晶棒区域的边界和所述晶线区域的边界，确定单晶棒的晶线的状态信息，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述状态信息包括实时晶线宽度和/或历史晶线宽度，所述根据所述晶棒区域的边界和所述晶线区域的边界，确定单晶棒的晶线的状态信息，包括：
5.根据权利要求2-4中任一项所述的方法，其特征在于，在所述根据所述晶棒区域的边界...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭力，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。