【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路制造领域，涉及一种湿法刻蚀系统及判断方法。
技术介绍
1、湿法刻蚀是通过特定的药液与被刻蚀的材料发生化学反应，达到图形转移的目的。湿法刻蚀一般伴有放热现象，并且具有各向同性的特点(硅集成电路工艺基础，关旭东编著)。与干法刻蚀相比，湿法刻蚀具有更高的选择比，而且工艺简单。因此，湿法刻蚀在线宽大于3微米的领域，仍然有广泛的应用。
2、目前湿法刻蚀都是通过控制刻蚀时间来判断刻蚀的终点，即用被刻蚀材料的厚度除以该材料在所用药液中的刻蚀速率得到被刻蚀材料刻蚀时间，然后再加上一定的过刻蚀时间，被刻蚀材料的刻蚀时间与过刻蚀时间之和作为最终的刻蚀时间。实际生产中，刻蚀时间很少会变动。但药液随着使用的进行，药液中的有效成分发生变化及有效成分的分布不均匀，与晶圆接触的各部分药液的刻蚀速率也随之变化，且刻蚀的过程中也会产生放热的现象，继而加剧各部分刻蚀材料的刻蚀速率的波动，导致刻蚀的终点难以判断。同时在湿法刻蚀过程中，刻蚀速率的波动，使在药液同一使用周期内不同时间点加工出的产品品质，如线宽、留膜厚度、孔深度等，就存在一...
【技术保护点】
1.一种湿法刻蚀系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀系统，其特征在于：所述循环泵从所述第一管路的一端抽取所述循环槽中的所述刻蚀剂，并将所述刻蚀剂从所述第一管路的另一端输送进所述循环槽中。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀系统，其特征在于：所述温度检测装置用于检测晶圆处理过程中的晶圆背面的温度信息并实时反馈给所述中央控制系统。
4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀系统，其特征在于：所述中央控制系统基于所述温度检测装置反馈的温度信息控制所述温度控制器工作。
5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀系统，其特征在于：...
【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀系统，其特征在于：所述循环泵从所述第一管路的一端抽取所述循环槽中的所述刻蚀剂，并将所述刻蚀剂从所述第一管路的另一端输送进所述循环槽中。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀系统，其特征在于：所述温度检测装置用于检测晶圆处理过程中的晶圆背面的温度信息并实时反馈给所述中央控制系统。
4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀系统，其特征在于：所述中央控制系统基于所述温度检测装置反馈的温度信息控制所述温度控制器工作。
5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀系统，其特征在于：晶圆处理过程中产生的副产物溶于所述刻蚀剂，所述第一副产物检测装置检测流经所述第二管路的所述刻蚀剂中的副产物的浓度，所述第二副产物检测装置检测从所述晶圆处理单元中流出的所述刻蚀剂中副产物的浓度。
...【专利技术属性】
技术研发人员：李胜利，徐云霞，汪新学，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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